[發(fā)明專利]適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法及碳化硅功率器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811377428.2
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109524456A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚永亮;張力江;默江輝;楊中月;李亮
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/16
• 分類號: H01L29/16;H01L29/45;H01L21/324
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 趙寶琴

1.適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

清洗碳化硅圓片；

光刻定義歐姆接觸區(qū)域；

在碳化硅圓片表面沉積多層金屬，所述多層金屬依次為鎳、鎢，或者為，鎳、鈮；

金屬剝離，制備金屬電極；

歐姆接觸退火形成歐姆接觸電極。

2.如權(quán)利要求1所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述清洗碳化硅圓片的過程為：

采用標準的RCA清洗方法，對碳化硅圓片進行清洗，去除碳化硅圓片表面沾污。

3.如權(quán)利要求1所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述光刻定義歐姆接觸區(qū)域的過程為：

在碳化硅圓片表面涂覆一層光刻膠，將需要制作歐姆接觸電極的區(qū)域進行曝光顯影，露出碳化硅表面。

4.如權(quán)利要求3所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述光刻膠厚度為0.3μm-5um。

5.如權(quán)利要求1所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述在碳化硅圓片表面沉積多層金屬的過程為：

采用蒸發(fā)或濺射的方法沉積多層金屬，所述鎳的厚度為30nm-200nm，所述鎢或鈮的厚度為20nm-100nm。

6.如權(quán)利要求5所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述鎳的厚度為50nm-150nm，所述鎢或鈮的厚度為40nm-80nm。

7.如權(quán)利要求1所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述金屬剝離，制備金屬電極的過程為：

金屬沉積后將碳化硅圓片在有機溶劑中浸泡，去除光刻膠和沉積在光刻膠上的多余金屬，只保留所需要的金屬電極部分，在有機溶劑中將金屬去除干凈后，使用去離子水對碳化硅圓片進行沖洗。

8.如權(quán)利要求1所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述歐姆接觸退火形成歐姆接觸電極的過程為：

使用快速退火爐對碳化硅圓片進行快速退火，氣體氛圍為氬氣或者氮氣，退火溫度為950℃-1050℃，恒溫時間為30秒-120秒。

9.如權(quán)利要求8所述的適用于高溫的碳化硅歐姆接觸制作方法，其特征在于，所述退火溫度為900℃-1000℃，恒溫時間為60秒-90秒。

10.碳化硅功率器件，其特征在于，利用如權(quán)利要求1-9任一項所述的方法制備，包括碳化硅圓片和制備于所述碳化硅圓片上的歐姆接觸電極，所述歐姆接觸電極包括金屬鎳層和鎢層，或者為鎳層和鈮層。