[發明專利]存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201811377227.2
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN110389717A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 嚴基杓
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;趙赫

本發明可提供一種存儲裝置及操作該存儲裝置的方法。存儲裝置可包括：存儲器裝置，包括多個存儲塊；以及存儲器控制器，基于與待被提供至存儲器裝置的寫入數據的大小相關的信息，控制存儲器裝置以對多個存儲塊中的至少一個空閑塊執行后臺擦除操作。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年4月17日提交的申請號為10-2018-0044375的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開的各個實施例總體涉及一種電子裝置。特別地，實施例涉及一種存儲裝置及操作該存儲裝置的方法。

背景技術

通常，存儲裝置是在諸如計算機、智能手機、平板電腦或智能平板的主機裝置的控制下存儲數據的裝置。根據被提供以存儲數據的裝置的類型，存儲裝置的示例可被分類為諸如硬盤驅動器(HDD)的裝置，其將數據存儲在磁盤中，以及諸如固態驅動器(SSD)或存儲卡的裝置，其將數據存儲在半導體存儲器，諸如非易失性存儲器中。

存儲裝置可包括存儲數據的存儲器裝置以及被配置成將數據存儲在存儲器裝置中的存儲器控制器。存儲器裝置可被分類為易失性存儲器和非易失性存儲器。非易失性存儲器的代表性示例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)以及鐵電RAM(FRAM)等。

發明內容

本公開的各個實施例涉及一種存儲裝置以及操作存儲裝置的方法，該存儲裝置包括被配置為控制后臺擦除操作的存儲器控制器。

本公開的實施例可提供一種存儲裝置，包括：存儲器裝置，包括多個存儲塊；以及存儲器控制器，基于與待被提供至存儲器裝置的寫入數據的大小相關的信息，控制存儲器裝置以對多個存儲塊中的至少一個空閑塊執行后臺擦除操作。

本公開的實施例可提供一種操作存儲器控制器的方法，該存儲器控制器控制包括多個存儲塊的存儲器裝置，該方法包括：獲得與待被提供至存儲器裝置的寫入數據的大小相關的信息；并且基于與寫入數據的大小相關的信息，指示存儲器裝置對多個存儲塊中的至少一個空閑塊執行后臺擦除操作。

本公開的實施例可提供一種存儲器系統，包括：存儲器裝置，包括多個存儲塊；以及控制器，當存儲在存儲塊中的數據的累積大小變得大于單個存儲塊的存儲容量時，控制存儲器裝置在存儲器裝置處于空閑時，對存儲塊之中的一個或多個存儲無效數據的存儲塊執行后臺擦除操作。

附圖說明

圖1是示出根據本公開的實施例的存儲裝置的框圖。

圖2是示出圖1的存儲器裝置的引腳配置的示圖。

圖3是描述根據本公開的實施例的在編程操作期間存儲器裝置的輸入/輸出操作和單元操作的示圖。

圖4是描述根據本公開的實施例的后臺擦除操作的示圖。

圖5是示出根據本公開的實施例的存儲器控制器的配置的框圖。

圖6是描述根據本公開的實施例的操作存儲器控制器的方法的流程圖。

圖7是示出圖1的存儲器裝置的配置的示圖。

圖8是示出圖7的存儲器單元陣列的實施例的示圖。

圖9是示出根據本公開的實施例的圖3的存儲塊BLK1至BLKz中的任意一個存儲塊BLKa的電路圖。

圖10是示出根據本公開的實施例的圖3的存儲塊BLK1至BLKz中的任意一個存儲塊BLKb的電路圖。

圖11是示出根據本公開的實施例的圖1的存儲器控制器的示例的示圖。