[發明專利]精煉法提純工業硅的工藝及設備

在審

• 申請號: 201811376972.5
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109133069A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 羊實;庹開正
• 申請（專利權）人: 成都斯力康科技股份有限公司
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 胡曉麗

1.精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，具體步驟為：

步驟A，將造渣劑粉碎后，加水潤濕造粒獲得粒徑為40～80目、密度為3.0～3.5g/cm³、濕度為10～15％的精煉顆粒制劑；

步驟B，將硅熔體注入包體內，同時向包體內通入精煉氣、加入精煉顆粒制劑，在1450～1550℃溫度條件下進行精煉2～8h；

步驟C，冷卻至室溫，進行渣硅分離獲得精煉硅。

2.根據權利要求1所述的精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，所述造渣劑采用BaO、NaO和SiO₂的混合物。

3.根據權利要求2所述的精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，所述BaO、NaO和SiO₂的配比為2:5:1。

4.根據權利要求1所述的精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，所述步驟A中，將造渣劑粉碎成粒徑為100～120目的粉末后，加入水、水合硅酸鎂細粉混合均勻用于造粒；造渣劑與水合硅酸鎂細粉的質量配比10:0.3。

5.根據權利要求1所述的精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，所述步驟B中，造渣劑和硅熔體的質量配比為1:10～1:5。

6.根據權利要求1所述的精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，所述步驟B中精煉氣體為空氣和氬氣混合氣。

7.根據權利要求1所述的精煉法提純工業硅的工藝，其特征在于，所述步驟B中，通入精煉氣的流量為20～28L/min，包體內氣壓為0.6～1.0MPa。

8.實施權利要求1至7任一項所述的精煉法提純工業硅的工藝的設備，其特征在于，包括包體(1)，所述包體(1)的側壁上開設有若干進氣孔(2)，若干進氣孔(2)沿包體(1)的周向均勻分布，每個進氣孔(2)的軸線方向與包體(1)的軸線方向平行；進氣孔(2)的底部延伸至包體(1)的底部，且通過透氣磚(3)與包體(1)內部連通，進氣孔(2)的頂部與進氣元件連通；包體(1)的頂部敞口端設有蓋板(4)，蓋板(4)上設有進料管(5)。

9.根據權利要求8所述的精煉法提純工業硅的設備，其特征在于，所述蓋板(4)為中空殼體結構，蓋板(4)的下板面上凸設有若干與進氣孔(2)敞口端嵌入適配的導管(6)，導管(6)連通進氣孔(2)和蓋板(4)的中空腔室；蓋板(4)上還設有進氣管(7)，進氣管(7)與蓋板(4)的中空腔室連通。

10.根據權利要求9所述的精煉法提純工業硅的設備，其特征在于，若干進氣孔(2)底部的透氣磚(3)在沿周向方向上錯位排布。