[發(fā)明專(zhuān)利]平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811376951.3
• 申請(qǐng)日: 2018-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111195852B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許開(kāi)東;車(chē)東晨;胡冬冬;崔虎山;劉自明;琚里;孫宏月;陳璐
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇魯汶儀器有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B24B29/02
• 分類(lèi)號(hào): B24B29/02
• 代理公司: 北京得信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11511
• 代理人: 孟海娟;崔建麗

1.一種平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置，其特征在于，

包括：

晶圓托片裝置，用于固定待拋光器件；

研磨體，其為含研磨顆粒并且可自我修復(fù)的柔性或準(zhǔn)流體；以及

驅(qū)動(dòng)裝置，帶動(dòng)所述晶圓托片裝置進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使所述待拋光器件插入和離開(kāi)所述研磨體對(duì)待拋光器件的側(cè)壁進(jìn)行拋光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置，其特征在于，

所述驅(qū)動(dòng)裝置為氣缸脈沖裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置，其特征在于，

還包括溫控裝置，其對(duì)研磨體的溫度進(jìn)行升降控制。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置，其特征在于，

所述研磨顆粒的載體采用聚酰亞胺或高密度海綿。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置，其特征在于，

所述研磨顆粒為納米SiO₂顆粒、SiC顆粒、SiN顆粒或金剛石粉末。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的裝置，其特征在于，

所述研磨顆粒的粒徑為0.5nm～10nm，密度為10⁵～10²⁰個(gè)/mm³。

7.一種平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的方法，其特征在于，

包括以下步驟：

將待拋光器件固定在晶圓托片裝置上；

驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)所述晶圓托片裝置進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使所述待拋光器件反復(fù)多次插入和離開(kāi)研磨體對(duì)側(cè)壁進(jìn)行拋光，

其中，所述研磨體為含研磨顆粒并且可自我修復(fù)的柔性或準(zhǔn)流體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的方法，其特征在于，

所述研磨顆粒的載體采用聚酰亞胺或高密度海綿。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的方法，其特征在于，

所述研磨顆粒為納米SiO₂顆粒、SiC顆粒、SiN顆粒或金剛石粉末。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平行于器件側(cè)壁方向拋光密集器件側(cè)壁的方法，其特征在于，

當(dāng)所述研磨顆粒的載體采用聚酰亞胺，進(jìn)行研磨時(shí)，將溫度加熱到150℃～250℃，使所述研磨體處于半固態(tài)。