[發明專利]一種含吩噻嗪結構的雙給體空穴傳輸材料及其制備方法和鈣鈦礦太陽能電池

有效

• 申請號: 201811376445.4
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109467561B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 蔡寧;錢賽男;陳亞通;楊瀚;張華堂;霍延平
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: C07D495/04
• 分類號: C07D495/04;H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;唐京橋

1.一種含吩噻嗪結構的雙給體空穴傳輸材料，其特征在于，具有式（Ⅰ）所示結構；

式（Ⅰ）。

2.一種含吩噻嗪結構的雙給體空穴傳輸材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將4，8-二（己硫基）-苯并[1，2-B：4，5-B‘]二噻吩與鹵素或NBS在第一反應溶劑中進行第一反應，得到式（II）化合物；

步驟2：將式（Ⅴ）化合物、所述式（II）化合物和鈀類催化劑在第五反應溶劑中進行第五反應，得到式（Ⅰ）化合物；

式（Ⅰ）；

式（II）；

式（Ⅴ）。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述式（Ⅴ）化合物的合成包括以下步驟：

步驟a）：堿性環境下，將吩噻嗪與1,6-二溴己烷在第二反應溶劑中進行第二反應后，得到式（III）化合物；

步驟b）：將所述式（III）化合物與NBS在第三反應溶劑中進行第三反應，得到式（Ⅳ）化合物；

步驟c）：堿性環境下，將所述式（Ⅳ）化合物、雙（頻哪醇合）二硼和鈀類催化劑在第四反應溶劑中進行第四反應，得到式（Ⅴ）化合物；

式（III）；式（Ⅳ）。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟1所述鹵素或NBS為所述4，8-二（己硫基）-苯并[1，2-B：4，5-B‘]二噻吩用量的2 eq. ~ 2.3 eq.。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟2所述式（II）化合物、所述式（Ⅴ）化合物和所述鈀類催化劑的摩爾比為1：2.1：0.05 ~ 1：2.3：0.08。

6.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括：襯底、電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和頂電極；

所述空穴傳輸層為權利要求1所述的含吩噻嗪結構的雙給體空穴傳輸材料或權利要求2至5任意一項所述的制備方法制得的含吩噻嗪結構的雙給體空穴傳輸材料。