[發明專利]薄膜晶體管、其制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201811375295.5
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109524475B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 劉寧
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;蔡麗

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管，包括位于襯底上的有源層，所述有源層為金屬氧化物半導體層，和位于所述襯底和所述有源層之間的遮光金屬層，所述有源層在所述襯底上的正投影落入所述遮光金屬層在所述襯底上的正投影內，其特征在于，所述有源層與所述遮光金屬層之間設置有與所述有源層和所述遮光金屬層相接觸的第一絕緣隔熱層，所述有源層遠離所述遮光金屬層的一側設置有第二絕緣隔熱層；

所述第一絕緣隔熱層和所述第二絕緣隔熱層均由酚醛樹脂和二氧化硅的復合材料制成；

所述第一絕緣隔熱層和所述第二絕緣隔熱層的熱導率均為24～100mW/mK范圍內。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層與所述遮光金屬層之間的第一絕緣隔熱層復用為緩沖層。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層遠離所述遮光金屬層一側的第二絕緣隔熱層復用為柵絕緣層。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層的厚度為

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為

6.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法，包括形成位于襯底上的有源層，所述有源層為金屬氧化物半導體層，和位于所述襯底和所述有源層之間的遮光金屬層，所述有源層在所述襯底上的正投影落入所述遮光金屬層在所述襯底上的正投影內，其特征在于，還包括：

在所述有源層與所述遮光金屬層之間形成第一絕緣隔熱層；

在所述第一絕緣隔熱層表面形成有源層；

在所述有源層表面形成第二絕緣隔熱層；

所述第一絕緣隔熱層和所述第二絕緣隔熱層均由酚醛樹脂和二氧化硅的復合材料制成；

所述第一絕緣隔熱層和所述第二絕緣隔熱層的熱導率均為24～100mW/mK范圍內。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制備方法具體為：

制備襯底；

在所述襯底上形成遮光金屬層；

在所述遮光金屬層表面形成復用為緩沖層的第一絕緣隔熱層；

在所述緩沖層上形成有源層；所述有源層在所述襯底上的正投影落入所述遮光金屬層在所述襯底上的正投影內；

在所述有源層表面形成復用為柵絕緣層的第二絕緣隔熱層；

形成層間介質層；

形成源極和漏極，得到薄膜晶體管。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，利用絕緣隔熱材料在所述遮光金屬層表面形成緩沖層具體為：

將酚醛樹脂和二氧化硅的復合材料旋涂或者噴涂于所述遮光金屬層表面，經過干燥，形成復用為緩沖層的第一絕緣隔熱層；

利用絕緣隔熱材料在所述有源層上形成柵絕緣層具體為： 將酚醛樹脂和 二氧化硅的復合材料旋涂或者噴涂于所述有源層表面，經過干燥，形成復用為柵絕緣層的第二絕緣隔熱層。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述干燥時的溫度為100～200℃，所述干燥的時間為30～120分鐘。

10.一種顯示基板，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的薄膜晶體管。

11.根據權利要求10所述的顯示基板，其特征在于，以如權利要求1-5中任一項所述薄膜晶體管作為驅動薄膜晶體管，還包括開關薄膜晶體管和補償薄膜晶體管，所述開關薄膜晶體管和補償薄膜晶體管的有源層兩側的膜層均由絕緣隔熱材料制成。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求10或11所述的顯示基板。