[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201811375094.5 | 申請日： | 2018-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN109841685A | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發明（設計）人： | 長谷川貴史;齋藤浩一;工藤千秋 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/535;H01L23/528;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 齊秀鳳 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體基板 柵極絕緣層 接觸孔 半導體裝置 層間絕緣層 金屬層 柵極電極 側面 源極布線 覆蓋 絕緣層 覆蓋層 上表面 制造 貫通 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
半導體基板；
柵極絕緣層，位于所述半導體基板的表面；
柵極電極，位于所述柵極絕緣層上；
層間絕緣層，覆蓋所述柵極電極；
接觸孔，貫通所述柵極絕緣層以及所述層間絕緣層，使所述半導體基板的所述表面的一部分露出，具備由所述層間絕緣層的側面以及所述柵極絕緣層的側面規定的內側面；
金屬層，覆蓋所述層間絕緣層的上表面、所述接觸孔的所述內側面、以及露出的所述半導體基板的所述表面的至少一部分；和
源極布線，經由所述接觸孔，與所述金屬層中至少覆蓋露出的所述半導體基板的所述表面的所述至少一部分的部分連接，
所述金屬層中至少覆蓋所述接觸孔的在所述半導體基板的所述表面附近的所述內側面的部分的厚度為35nm以上。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
將所述金屬層中覆蓋所述接觸孔的在所述半導體基板的所述表面附近的所述內側面的部分的厚度設為第一厚度，
將所述金屬層中覆蓋所述層間絕緣層的所述上表面的部分的厚度設為第二厚度時，所述第一厚度為所述第二厚度的35％以上。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
在與所述半導體基板的所述表面垂直的截面中，所述接觸孔的所述內側面是所述接觸孔的開口部的一部分，
所述半導體基板的所述表面與所述接觸孔的所述內側面的所述下部所成的角度為75度以下。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
所述接觸孔的所述內側面具備第一內側面和比所述第一內側面遠離所述半導體基板的所述表面的第二內側面，
所述接觸孔的所述第一內側面與所述半導體基板的所述表面所成的第一角度，小于所述接觸孔的所述第二內側面與所述半導體基板的所述表面所成的第二角度，
所述第一角度為75度以下。
5.一種半導體裝置，具備：
半導體基板；
柵極絕緣層，位于所述半導體基板的表面；
柵極電極，位于所述柵極絕緣層上；
層間絕緣層，覆蓋所述柵極電極；
接觸孔，貫通所述柵極絕緣層以及所述層間絕緣層，使所述半導體基板的所述表面的一部分露出，具備由所述層間絕緣層的側面以及所述柵極絕緣層的側面規定的內側面；
金屬層，覆蓋所述層間絕緣層的上表面、所述接觸孔的所述內側面、以及露出的所述半導體基板的所述表面的所述一部分的至少一部分；和
源極布線，經由所述接觸孔，與所述金屬層中至少覆蓋露出的所述半導體基板的所述表面的所述至少一部分的部分連接，
在與所述半導體基板的所述表面垂直的截面中，所述接觸孔的所述內側面面向所述接觸孔的開口部，
所述接觸孔的所述內側面具備靠近所述半導體基板的所述表面的第一內側面和靠近所述接觸孔的所述開口部的第二內側面，
所述接觸孔的所述第一內側面與所述半導體基板的所述表面所成的角度，小于所述接觸孔的所述第二內側面與所述半導體基板的所述表面所成的角度。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
露出的所述半導體基板的所述表面的所述一部分是由硅化物形成的硅化物層。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，
所述硅化物層的一部分覆蓋所述柵極絕緣層的所述側面。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述金屬層具備由兩種不同的金屬形成的雙層構造。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述半導體裝置為MOSFET。
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