[發明專利]一種適用于圖像傳感器的基準電壓源電路結構

有效

• 申請號: 201811374462.4
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109491433B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 芮松鵬;蔡化;陳飛;高菊
• 申請（專利權）人: 成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;張磊

1.一種適用于圖像傳感器的基準電壓源電路結構，包含輸出支路，以及PTAT電流產生支路，其特征在于，所述輸出支路包括由相連的兩個NMOS管NMC1和NMC2構成的一柱狀結構，所述柱狀結構用于替代輸出支路的電阻；其中，所述NMOS管NMC1的柵極和漏極相接，用于流經PTAT電流；所述NMOS管NMC2的柵極接NMOS管NMC1的柵極，源極接一BJT器件Q3的發射極，漏極接NMOS管NMC1的源極；所述BJT器件Q3的基極和集電極相接，并接電源負極，所述BJT器件Q3用于產生CTAT電壓；所述NMOS管NMC1的源極與NMOS管NMC2的漏極共同接輸出電壓；所述PTAT電流產生支路包括：

四個PMOS管PM3至PM6，所述PMOS管PM3和PM5的柵極相接，所述PMOS管PM3和PM5的源極均接電源正極，所述PMOS管PM3的漏極接所述PMOS管PM4的源極，所述PMOS管PM3的柵極同時接所述PMOS管PM4的漏極，所述PMOS管PM4和PM6的柵極相接，所述PMOS管PM5的漏極接所述PMOS管PM6的源極；

兩個電阻R3和R4，所述電阻R3的第一端接所述PMOS管PM4的漏極，所述電阻R4的第一端接所述PMOS管PM6的漏極；

四個NMOS管NM5至NM8，所述NMOS管NM5的漏極與所述電阻R3的第二端及所述PMOS管PM4的柵極相接，柵極與所述NMOS管NM7的柵極及所述電阻R4的第一端相接，源極與所述NMOS管NM6的漏極相接；所述NMOS管NM6的源極與節點X相接，柵極與所述NMOS管NM8的柵極相接；所述NMOS管NM7的漏極與所述電阻R4的第二端及所述NMOS管NM8的柵極相接，源極與所述NMOS管NM8的漏極相接；所述NMOS管NM8的源極與節點Y相接；

一電阻R1，其第一端通過節點X接所述NMOS管NM6的源極；

兩個BJT器件Q1和Q2，所述BJT器件Q1和Q2的基極和集電極均相接，并接電源負極，所述BJT器件Q1的發射極接所述電阻R1的第二端，所述BJT器件Q2的發射極通過節點Y接所述NMOS管NM8的源極；

所述輸出支路還包括：

四個PMOS管PM7、PM8、PM10和PM11，所述PMOS管PM7的源極接電源正極，柵極接所述PMOS管PM5的柵極；所述PMOS管PM8的源極接所述PMOS管PM7的漏極，柵極接所述PMOS管PM6的柵極；所述PMOS管PM10的源極接電源正極，柵極接所述PMOS管PM7的柵極，漏極接所述PMOS管PM11的源極；所述PMOS管PM11的柵極接所述PMOS管PM8的柵極，漏極作為偏置電流輸出；所述NMOS管NMC1的柵極和漏極與所述PMOS管PM8的漏極相接，以導入PTAT電流；

其中，通過將所述PTAT電流產生支路的BJT器件Q2的發射極與所述輸出支路的NMOS管NMC2的源極直接相接，以替代所述BJT器件Q3，實現所述BJT器件Q2在所述輸出支路和所述PTAT電流產生支路中的復用。

2.根據權利要求1所述的適用于圖像傳感器的基準電壓源電路結構，其特征在于，還包括一啟動電路，所述啟動電路包括：

一PMOS管PM2和三個NMOS管NM1、NM2和NM4；其中，

所述PMOS管PM2的源極接電源正極，柵極和漏極同時接所述NMOS管NM1、NM2的漏極和所述NMOS管NM4的柵極；所述NMOS管NM1的柵極接輸出電壓，所述NMOS管NM2的柵極與漏極相接，所述NMOS管NM1、NM2和NM4的源極共同接電源負極；所述NMOS管NM4的漏極與所述NMOS管NM5的漏極和所述電阻R3的第二端相接。

3.根據權利要求2所述的適用于圖像傳感器的基準電壓源電路結構，其特征在于，還包括一使能信號產生電路，所述使能信號產生電路通過兩個串聯的反向器INV1和INV2，分別輸出使能信號ENL和使能信號ENH；其中，

所述啟動電路還設有一PMOS管PM1和一NMOS管NM3，所述PMOS管PM1的源極接電源正極，柵極接所述使能信號ENL，漏極接所述PMOS管PM2的源極；所述NMOS管NM3的漏極接所述PMOS管PM2的漏極，柵極接所述使能信號ENL，源極接電源負極；

所述PTAT電流產生支路還設有一PMOS管PM9，所述PMOS管PM9的源極接電源正極，柵極接所述使能信號ENH，漏極接所述PMOS管PM3的柵極。