[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法有效
| 申請號: | 201811367807.3 | 申請日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN111200066B | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | 聶志文;楊一行 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點發光二極管,包括陰極、陽極以及設置在所述陰極和陽極之間的量子點發光層,其特征在于,所述量子點發光層材料為由量子點材料和介孔材料組成的復合材料,所述介孔材料的熱傳導率大于或等于300Wm-1K-1。
2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述介孔材料的粒徑為2-100μm;和/或所述介孔材料的孔徑為2-20nm。
3.根據權利要求1至2任一所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述介孔材料選自氮化硼、氮化鋁和氧化鈹中的一種或多種。
4.一種量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供一種陽極基板,在所述陽極基板表面制備量子點發光層,所述量子點發光層材料為由量子點材料和介孔材料組成的復合材料,所述介孔材料的熱傳導率大于或等于300Wm-1K-1;
在所述量子點發光層表面制備陰極,制得量子點發光二極管;
或者,提供一種陰極基板,在所述陰極基板表面制備量子點發光層,所述量子點發光層材料為由量子點材料和介孔材料組成的復合材料,所述介孔材料的熱傳導率大于或等于300Wm-1K-1;
在所述量子點發光層表面制備陽極,制得量子點發光二極管。
5.根據權利要求4所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述量子點發光層材料的制備方法包括以下步驟:
將介孔材料分散在非極性溶劑中制得介孔材料溶液,在惰性氣體氛圍下對所述介孔材料溶液進行加熱回流處理;
將量子點材料分散在非極性溶劑中制得量子點溶液,將所述量子點溶液與所述經過加熱回流處理的介孔材料溶液混合,得到混合溶液;
在惰性氣體氛圍下對所述混合溶液進行加熱處理使得所述混合溶液中的溶劑揮發完全,制得所述量子點發光層材料。
6.根據權利要求5所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述在惰性氣體氛圍下對所述介孔材料溶液進行加熱回流處理的步驟中,加熱溫度為60-200℃;
和/或,所述在惰性氣體氛圍下對所述混合溶液進行加熱處理使得所述混合溶液中的溶劑揮發完全的步驟中,加熱溫度為60-200℃。
7.根據權利要求5所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述量子點溶液的濃度為0.1-100mg/ml。
8.根據權利要求5所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述混合溶液中,介孔材料與量子點材料的質量比為500-50:1。
9.根據權利要求5所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述量子點材料為II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一種或多種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL科技集團股份有限公司,未經TCL科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811367807.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





