[發明專利]一種低濃度汞檢測系統和檢測方法有效
| 申請號: | 201811366941.1 | 申請日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN109342131B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 敖小強;韓占恒;李紅亮;平小凡;趙輝 | 申請(專利權)人: | 北京雪迪龍科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N1/24 | 分類號: | G01N1/24;G01N1/40;G01N1/44 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;王月春 |
| 地址: | 102206 北京市昌*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濃度 檢測 系統 方法 | ||
1.一種低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述檢測系統中包括氣體源裝置、汞富集裝置、汞檢測裝置、控制裝置;
所述氣體源裝置和所述汞富集裝置的進氣口端之間的氣路上設置有第一三通閥,所述氣體源裝置、所述汞富集裝置的出氣口端、所述汞檢測裝置之間的氣路上設置有第二三通閥;
所述控制裝置通過讀取所述汞檢測裝置的數據控制所述第一三通閥和所述第二三通閥所連通的氣路的轉換,并確定待測氣體的最佳進樣次數n;
其中,進樣次數為n1時達到所述汞檢測裝置的檢出限,進樣n1次后所檢測的汞的濃度為c1,所述汞檢測裝置的典型檢出值為c,所述最佳進樣次數n=n1×(c÷c1)。
2.根據權利要求1所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述檢測系統中還包括氣體存儲裝置,所述氣體存儲裝置設置在所述氣體源裝置和所述汞富集裝置的進氣口端之間,并且,所述第一三通閥位于所述氣體源裝置和所述氣體存儲裝置之間的氣路上。
3.根據權利要求2所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述氣體存儲裝置上設置有壓力傳感器和溫度傳感器。
4.根據權利要求2所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述檢測系統中還包括第一氣泵,所述第一氣泵設置在所述氣體存儲裝置和所述汞富集裝置的進氣口端之間的氣路上。
5.根據權利要求4所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述檢測系統中還包括載氣源裝置,所述載氣源裝置與所述汞富集裝置的進氣口端連接,并且,在所述第一氣泵、所述汞富集裝置的進氣口端、所述載氣源裝置之間的氣路上設置有第三三通閥。
6.根據權利要求5所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述載氣源裝置為零級空氣發生器。
7.根據權利要求5所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,所述檢測系統中還包括第二氣泵,所述第二氣泵設置在所述汞富集裝置的進氣口端與所述載氣源裝置之間的氣路上。
8.根據權利要求7所述的低濃度汞檢測系統,其特征在于,在所述第一氣泵和所述第二氣泵之間的氣路上設置有第四三通閥,所述第四三通閥還與排氣氣路連接。
9.一種根據權利要求1-8任一所述的低濃度汞檢測系統執行的檢測方法,其特征在于,所述方法包括步驟:
將所述第一三通閥切換至所述氣體源裝置和所述汞富集裝置的進氣口端之間的氣路連通,所述第二三通閥切換至所述汞富集裝置的出氣口端和所述汞檢測裝置之間的氣路連通;
經由所述氣體源裝置輸出的氣體進入所述汞富集裝置中,將所述氣體中的汞富集,然后,在550~600℃的溫度下對所述汞富集裝置中富集的汞進行加熱解析,得到氣態汞,所述氣態汞進入所述汞檢測裝置中進行汞濃度的檢測,所述控制裝置通過讀取檢測數據控制所述第一三通閥所連通的氣路的切換實現n1次進樣,直到所述氣態汞的濃度達到所述汞檢測裝置的檢出限;
進樣n1次后所檢測的汞的濃度為c1,所述汞檢測裝置的典型檢出值為c,確定最佳進樣次數n=n1×(c÷c1);
根據最佳進樣次數n進行多次檢測,確定汞的濃度的平均值。
10.根據權利要求9所述的檢測方法,其特征在于,由載氣源裝置輸出載氣,所述載氣經由所述汞富集裝置的進氣口端輸入所述汞富集裝置中,所述載氣攜帶所述氣態汞進入所述汞檢測裝置中進行檢測。
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