[發(fā)明專利]一種仿太陽(yáng)光譜LED燈

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811366229.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN109860162B
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝錫龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州市巨宏光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/50
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 楊艷;韓丹

1.一種仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，包括基板、LED芯片、封裝膠和熒光粉，所述LED芯片通過封裝膠封裝于基板上，所述熒光粉分散于所述封裝膠內(nèi)，熒光粉占封裝膠的5-30wt％；

所述LED芯片包括：波長(zhǎng)為405-413nm的第一芯片、波長(zhǎng)為420-425nm的第二芯片、波長(zhǎng)為435-442nm的第三芯片、波長(zhǎng)為445-455nm的第四芯片、波長(zhǎng)為460-465nm的第五芯片、波長(zhǎng)為470-475nm的第六芯片；

所述熒光粉由5-15％的波長(zhǎng)為490-495nm的第一熒光粉、補(bǔ)足至100％的波長(zhǎng)為520-530nm的第二熒光粉和4-15％的波長(zhǎng)為640-660nm的第三熒光粉組成；

其中，所述第一熒光粉、第二熒光粉和第三熒光粉的配比為5-6:84.5-88.5:6.5-8.5；熒光粉占封裝膠的12-25wt％。

2.如權(quán)利要求1所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片包括波長(zhǎng)為700-940nm的發(fā)射管。

3.如權(quán)利要求1或2所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片中，第一芯片的發(fā)光強(qiáng)度小于第三芯片、第四芯片、第五芯片或第六芯片中任一芯片的發(fā)光強(qiáng)度；第二芯片的發(fā)光強(qiáng)度小于第三芯片、第四芯片、第五芯片或第六芯片中任一芯片的發(fā)光強(qiáng)度。

4.如權(quán)利要求3所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片中，第三芯片的發(fā)光強(qiáng)度大于第四芯片、第五芯片或第六芯片中任一芯片的發(fā)光強(qiáng)度。

5.如權(quán)利要求1所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片還包括波長(zhǎng)為480-489nm的第七芯片。

6.如權(quán)利要求5所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片包括波長(zhǎng)為700-940nm的發(fā)射管。

7.如權(quán)利要求5或6所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片中，第一芯片、第二芯片、第三芯片和第七芯片中任一芯片的發(fā)光強(qiáng)度小于第四芯片、第五芯片和第六芯片中任一芯片的發(fā)光強(qiáng)度。

8.如權(quán)利要求5或6所述的仿太陽(yáng)光譜LED燈，其特征在于，所述LED芯片中，第四芯片或第五芯片的發(fā)光強(qiáng)度小于第三芯片的發(fā)光強(qiáng)度，且大于第一芯片、第二芯片、第六芯片、第七芯片中任一芯片的發(fā)光強(qiáng)度。