[發明專利]讀取電阻式存儲器件的方法

有效

• 申請號: 201811365709.6
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN110136763B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 金京完;河泰政
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;H01L29/66
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本發明公開了一種讀取電阻式存儲器件的方法。在根據一個實施例的一種讀取電阻式存儲器件的方法中，準備包括選擇元件和可變電阻元件的存儲單元。選擇元件在針對存儲單元的電流?電壓掃描曲線上表現出驟回行為。在選擇元件維持導通狀態的電壓范圍之內確定要施加給存儲單元的第一讀取電壓和第二讀取電壓。第二讀取電壓的大小小于第一讀取電壓的大小，以及第二讀取電壓在選擇元件表現出驟回行為的電壓范圍內選擇。施加第一讀取電壓給存儲單元以測量第一單元電流。施加第二讀取電壓給存儲單元以測量第二單元電流。基于第一單元電流和第二單元電流來確定儲存在存儲單元中的電阻狀態。

相關申請的交叉引用

本申請要求2018年2月8日提交的編號為10-2018-00158587的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本公開的各種實施例總體而言涉及一種電阻式存儲器件，更具體地，涉及一種讀取儲存在電阻式存儲器件中的數據的方法。

背景技術

一般而言，電阻式存儲器件為如下器件：在位于存儲單元中的非易失性存儲材料層中引起電阻變化以及根據電阻狀態來儲存不同的數據的器件。電阻式存儲器件可以包括電阻式隨機存取存儲(RAM)器件、相變RAM器件、磁性RAM器件等。

近來，為了實現存儲器件的高度集成，諸如交叉點陣列結構的三維單元結構已經作為電阻式存儲器件的單元結構而被提出。作為示例，交叉點陣列結構可以具有如下單元結構，該單元結構中柱形單元設置在與不同平面相交的電極之間。

發明內容

公開了一種根據本公開的一個方面的讀取電阻式存儲器件的方法。在讀取電阻式存儲器件的方法中，準備包括選擇元件和可變電阻元件的存儲單元。此時，所述選擇元件在關于所述存儲單元的電流-電壓掃描曲線上表現出驟回行為。要施加給所述存儲單元的第一讀取電壓和第二讀取電壓在所述選擇元件維持導通狀態的電壓范圍之內。所述第二讀取電壓的大小小于所述第一讀取電壓的大小，以及所述第二讀取電壓在所述選擇元件表現出所述驟回行為的電壓范圍內。施加所述第一讀取電壓給所述存儲單元以測量第一單元電流。施加所述第二讀取電壓給所述存儲單元以測量第二單元電流。基于所述第一單元電流和所述第二單元電流來確定儲存在所述存儲單元中的電阻狀態。

附圖說明

圖1是示意性地示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的框圖。

圖2是示意性地示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的存儲單元陣列的視圖。

圖3是示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的存儲單元陣列結構的立體圖。

圖4是示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的存儲單元陣列的單位存儲單元的立體圖。

圖5是示意性地示出根據本公開的一個實施例的讀取電阻式存儲器件的方法的流程圖。

圖6A是根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的選擇元件的截面圖，圖6B是示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的選擇元件的電流-電壓掃描特性的圖。

圖7A和圖7B是示意性地示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的存儲單元中的根據電流掃描的輸出電壓的圖。

圖8A和圖8B是示意性地示出根據本公開的一個實施例的電阻式存儲器件的存儲單元中的根據電壓掃描的輸出電流的圖。

圖9是示意性地示出本公開的一個實施例中的用于施加讀取電壓給電阻式存儲器件的存儲單元的輸入脈沖的視圖。

圖10是示意性地示出本公開的另一實施例中的用于施加讀取電壓給電阻式存儲器件的存儲單元的輸入脈沖的視圖。

圖11是示出本公開的一個實施例中的使用從電阻式存儲器件的存儲單元測量來的單元電流來確定電阻狀態的方法的視圖。

具體實施方式