[發明專利]半導體功率器件在審
| 申請號： | 201811364479.1 | 申請日： | 2018-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN111199958A | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發明（設計）人： | 袁愿林;劉偉;劉磊;毛振東 | 申請（專利權）人： | 蘇州東微半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江蘇省蘇州市蘇州工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 功率 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體功率器件，其特征在于，包括：
封裝在同一個封裝體內的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，所述第二MOSFET功率器件芯片為n溝道耗盡型，其中：
所述第一MOSFET功率器件芯片的漏極金屬層與所述第二MOSFET功率器件芯片的源極金屬層電性連接；
所述第一MOSFET功率器件芯片的源極金屬層與所述第二MOSFET功率器件芯片的柵極金屬層均接所述封裝體的源極引腳；
所述第一MOSFET功率器件芯片的柵極金屬層接所述封裝體的柵極引腳；
所述第二MOSFET功率器件芯片的漏極金屬層接所述封裝體的漏極引腳。
2.如權利要求1所述的一種半導體功率器件，其特征在于，所述第一MOSFET功率器件芯片的尺寸小于所述第二MOSFET功率器件芯片的源極金屬層的尺寸，所述第一MOSFET功率器件芯片放置在所述第二MOSFET功率器件芯片的源極金屬層上。
3.如權利要求2所述的一種半導體功率器件，其特征在于，所述第一MOSFET功率器件芯片的漏極金屬層通過導電膠與所述第二MOSFET功率器件芯片的源極金屬層電性連接。
4.如權利要求1所述的一種半導體功率器件，其特征在于，所述第一MOSFET功率器件芯片為n溝道增強型。
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