[發明專利]用于極UV光刻的掩模及其制造方法

在審

• 申請號: 201811363165.X
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN109799674A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: J·U·李;R·R·h·金
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/26;G03F1/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌;蔡悅

1.一種用于經衰減的相移掩模類型并且具有使用面(UF)的極UV光刻的掩模，包括：

-基板(1)；

-由所述使用面中的所述基板支撐的反射結構(2)，并且所述反射結構(2)對從與所述基板相對的一側入射到所述反射結構上的極UV輻射是反射有效的；以及

-衰減和相移部分(3)，所述衰減和相移部分(3)分布于所述反射結構上方、與所述基板相對的一側上的所述使用面內，并且當與由所述掩模反射出所述各部分的其他極UV輻射部分相比時，所述衰減和相移部分(3)適用于衰減和相移由所述掩模反射穿過所述各部分的極UV輻射部分，

使得部分地由與所述基板(1)相對的一側上的所述各部分(3)形成的所述使用面(UF)中的所述掩模的上表面在垂直于所述使用面延伸的所述各部分的側壁(SW)處表現高度變化，所述掩模的特征在于它進一步包括：

-覆蓋層(4)，所述覆蓋層(4)至少覆蓋所述各部分(3)的側壁(SW)。

2.如權利要求1所述的掩模，其特征在于，所述覆蓋層(4)進一步覆蓋所述各部分(3)的頂表面(TS)，所述頂表面在與所述基板(1)相對的一側上平行于所述使用面(UF)延伸。

3.如權利要求2所述的掩模，其特征在于，所述覆蓋層(4)在所述各部分(3)的所述頂表面(TS)和所述側壁(SW)之間的邊緣(ED)處以及還在所述各部分的所述側壁和所述各部分之間的反射結構(2)的區域(RA)之間的底部界限(BL)處，連續地覆蓋所述各部分的所述側壁和所述頂表面以及所述各部分之間的反射結構的所述區域。

4.如權利要求3所述的掩模，其特征在于，所述覆蓋層(4)以共形方式覆蓋所述各部分(3)和所述各部分之間的所述反射結構(2)的所述區域(RA)。

5.如前述權利要求中任一項所述的掩模，其特征在于，所述反射結構(2)還具有至少一個側壁(SW’)，所述至少一個側壁垂直于所述掩模的所述使用面(US)延伸，并且其中所述覆蓋層(4)進一步覆蓋所述反射結構的所述至少一個側壁。

6.如前述權利要求中任一項所述的掩模，其特征在于，所述覆蓋層(4)的厚度(e)小于10nm。

7.如前述權利要求中任一項所述的掩模，其特征在于，所述覆蓋層(4)由具有對所述極UV輻射有效的折射率為n值的材料構成，當所述極UV輻射的波長為13.5nm時，所述n值被包括在0.90和1.01之間。

8.如前述權利要求中任一項所述的掩模，其特征在于，所述覆蓋層(4)是釕基、或鋁基、氮化硅基或氮化鈦基材料。

9.如前述權利要求中任一項所述的掩模，其特征在于，所述掩模用于具有波長在12nm和15nm之間的極UV輻射，并且當與由所述掩模反射出所述各部分的其他極UV輻射部分相比時，針對入射到所述掩模的所述使用面(UF)上的極UV輻射的2°和10°之間的入射角，所述衰減和相移部分(3)適合于為由所述掩模反射穿過所述各部分的所述極UV輻射部分產生等于π+/-10％的相移。

10.如前述權利要求中任一項所述的掩模，其特征在于，每個衰減和相移部分(3)都具有小于或等于45nm的厚度，所述厚度垂直于所述使用面(UF)被測得。

11.如權利要求1至10中任一項所述的掩模，其特征在于，每個衰減和相移部分(3)包括基于氮化鉭、或基于氧氮化鉭、或基于鉭硼氧化物、或基于鉭硼氧氮化物的材料的單層部分。

12.如權利要求1至10中任一項所述的掩模，其特征在于，每個衰減和相移部分(3)包括對通過透射使所述極UV輻射進行相移有效的透射材料的第一層部分(3a)，并進一步包括對所述極UV輻射吸收有效的吸收材料的第二層部分(3b)，并且所述第二層部分(3b)被堆疊在與所述基板(1)相對的一側上的所述第一層部分之上。