[發明專利]具有電容器的存儲器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201811360797.0
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN111192876A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 鮑錫飛
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種具有電容器的存儲器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底的頂表面具有多個電容接觸區；

多個電容接觸，所述多個電容接觸設置于基底上且與所述多個電容接觸區一一對應電連接；以及

第一支撐層，所述第一支撐層設置于所述基底上且覆蓋所述多個電容接觸區之間的所述基底的頂表面；

其中，每個所述電容接觸包括在遠離所述基底的頂表面方向依次疊加的第一電容接觸和第二電容接觸，所述第一支撐層的頂表面高于所述第一電容接觸的頂表面且低于所述第二電容接觸的頂表面。

2.如權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述存儲器件還包括在所述基底上與所述多個電容接觸一一對應形成的多個下電極，每個所述下電極與對應的第二電容接觸的至少部分頂表面接觸。

3.如權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，每個所述下電極還與對應的第一電容接觸的至少部分頂表面接觸。

4.如權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，每個所述下電極沿所述電容接觸的頂表面朝向遠離所述基底頂表面的方向延伸以圍成一筒狀結構，所述下電極具有朝向所述筒狀結構內部的內表面以及背離所述筒狀結構內部的外表面；所述電容器結構還包括覆蓋所述內表面和所述外表面的電容介質層、以及覆蓋所述電容介質層的上電極層。

5.如權利要求2所述的存儲器件，其特征在于，所述基底中包括多個有源區和用于限定所述多個有源區的隔離區，在所述第一支撐層的上方對應于所述隔離區依次相隔設置有第二支撐層和第三支撐層，以連接并支撐所述多個下電極。

6.如權利要求5所述的存儲器件，其特征在于，所述基底在對應于每個所述有源區的頂表面設置有兩個所述電容接觸區。

7.如權利要求1至6任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述第二電容接觸的頂表面面積小于或者等于所述第一電容接觸的頂表面面積。

8.如權利要求1至6任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述第二電容接觸平行于所述基底頂表面的橫截面包括圓形、橢圓形和多邊形所組成的組中的一種或者兩種以上的組合；和/或，所述第二電容接觸垂直于所述基底頂表面的橫截面包括半圓形、矩形、正方形和梯形所組成的組中的一種或者兩種以上的組合。

9.如權利要求1至6任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述第一電容接觸和/或所述第二電容接觸的材料包括摻雜多晶硅、金屬氮化物、金屬硅化物和金屬所組成的組中的一種或者兩種以上的組合。

10.如權利要求1至6任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述第一支撐層的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅所組成的組中的一種或者兩種以上的組合。

11.如權利要求1至6任一項所述的存儲器件，其特征在于，所述存儲器件為動態隨機存儲器。

12.一種具有電容器的存儲器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底的頂表面具有多個電容接觸區；以及

在所述基底上形成多個電容接觸以及第一支撐層，其中，所述多個電容接觸與所述多個電容接觸區一一對應電連接，所述第一支撐層覆蓋所述多個電容接觸區之間的所述基底的頂表面，每個所述電容接觸包括沿遠離所述基底的頂表面方向依次疊加的第一電容接觸和第二電容接觸，所述第一支撐層的頂表面高于所述第一電容接觸的頂表面且低于所述第二電容接觸的頂表面。