[發(fā)明專利]一種OLED顯示器件制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811360019.1
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN109256496A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳青明
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥思博特軟件開發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 合肥道正企智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34130
• 代理人: 武金花

1.一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：

（1）制備OLED顯示器件基板；

（2）以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層，并將該陽極層覆蓋在基板上；

（3）在陽極層表面制備有機發(fā)光層，在有機發(fā)光層表面制備透明陰極層；

（4）制備聚合物溶液，聚合物溶液通過靜電紡絲形成聚合物的納米紡絲圖案，在聚合物的納米紡絲圖案上涂覆透明粘合劑形成復(fù)合薄膜散射層，將復(fù)合薄膜散射層貼合在上述步驟制備的透明陰極層一側(cè)；

（5）以噴墨打印方式在復(fù)合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復(fù)合薄膜散射層表面的疏水層，以選擇性原子沉淀方式在所述復(fù)合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區(qū)域上形成光耦合率提升層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于，步驟（2）所述以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層的方法為：選用潔凈玻璃為襯底，使用磁控濺射系統(tǒng)，直流濺射純度99.99%的Ti靶，通純度為99.99%的氮氣，制備TiNx薄膜陽極層；所述磁控濺射系統(tǒng)的濺射功率為4kw，氮氣流量為8.4-8.6sccm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（4）所述聚合物為聚丙烯腈，所述聚丙烯腈在聚丙烯腈溶液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%-13%，所述聚丙烯腈溶液中的溶劑為二甲基亞砜、二甲基甲酰胺或硫氫化鈉中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（4）所述靜電紡絲的工作電壓為6kV-8kV，工作時間為5min-8min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（4）所述復(fù)合薄膜散射層的厚度為430-620nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（5）所述疏水層為高分子材料，所述光耦合率提升層為金屬氧化物材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（5）所述復(fù)合薄膜散射層表面劃分為周期性分布且間隔設(shè)置的發(fā)光區(qū)域以及位于所述發(fā)光區(qū)域之間的非發(fā)光區(qū)域，所述光耦合率提升層覆蓋所述發(fā)光區(qū)域，所述疏水層設(shè)置在所述非發(fā)光區(qū)域內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（5）所述以噴墨打印方式在復(fù)合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復(fù)合薄膜散射層表面的疏水層步驟之前，還包括：在所述復(fù)合薄膜散射層表面上形成無機材料制成的第一水氧阻擋層；在所述第一水氧阻擋層上形成有機材料制成的第一應(yīng)力釋放層；在所述第一應(yīng)力釋放層上形成無機材料制成第二水氧阻擋層，其中所述疏水層和所述光耦合率提升層形成于所述第二水氧阻擋層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（5）所述以選擇性原子沉淀方式在所述復(fù)合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區(qū)域上形成光耦合率提升層的步驟之后，還包括：在所述疏水層和所述光耦合率提升層上形成無機材料制成第三水氧阻擋層和有機材料制成的第二應(yīng)力釋放層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（5）所述疏水層的厚度大于所述光耦合率提升層的厚度。