[發(fā)明專利]藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝、藍(lán)寶石單晶生長裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811358116.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109972196A | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李熙春;崔伊植;張桂源;文圣皖;鄭大鉉;金峻煥;金亨中 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 藍(lán)寶石科技株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C30B11/00 | 分類號(hào): | C30B11/00;C30B29/20 |
| 代理公司: | 北京鍾維聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11579 | 代理人: | 羅銀燕 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 藍(lán)寶石單晶 生長裝置 坩堝 單晶種子 氧化鋁原料 最小化 生長 | ||
1.一種藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,投入氧化鋁原料來使藍(lán)寶石單晶沿著垂直方向生長,其特征在于,上述藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝包括:
矩形形態(tài)的底部;
一對(duì)P面部,與和上述底部相連接的四個(gè)面中的長度長的前部面及后部面相連接,以向外側(cè)方向張開的方式傾斜而成;以及
一對(duì)C面部,與和上述底部相連接的四個(gè)面中的兩側(cè)側(cè)面沿著直角方向相連接,與P面部的邊緣相連接,呈梯形形態(tài)。
2.一種藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,投入氧化鋁原料來使藍(lán)寶石單晶沿著垂直方向生長,其特征在于,上述藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝包括:
矩形形態(tài)的底部;
一對(duì)傾斜部,從與上述底部相連接的四個(gè)面中的長度長的前部面及后部面以分別向外側(cè)方向張開的方式傾斜而成;
一對(duì)直線部,從上述傾斜部朝向上方延伸而成;以及
一對(duì)側(cè)面部,與和上述底部相連接的四個(gè)面中的兩側(cè)側(cè)面沿著垂直方向相連接,與傾斜部及直線部的邊緣相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,上述底部、P面部及C面部呈平板形狀,通過鎢極惰性氣體保護(hù)焊來相結(jié)合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,上述底部與P面部之間的第一傾斜角度大于線性老化缺陷傳播的界面角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,上述底部與P面部之間的第一傾斜角角度(θ)為10°≤θ<60°。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,上述底部與P面部之間的第一傾斜角度(θ)為30°≤θ<60°。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,當(dāng)藍(lán)寶石單晶錠的直徑為6英寸以上時(shí),上述傾斜部1級(jí)彎曲,當(dāng)藍(lán)寶石單晶錠的直徑為8英寸以上時(shí),上述傾斜部2級(jí)彎曲。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,上述傾斜部包括:
第一傾斜部,與上述底部的四個(gè)面中的長度長的前部面及后部面相連接,以向外側(cè)方向張開的方式傾斜而成;以及
第二傾斜部,在上述第一傾斜部以與第一傾斜部不同的角度彎曲而成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,在上述藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝的上部面形成向外側(cè)方向彎曲來加強(qiáng)藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝的強(qiáng)度的加強(qiáng)筋。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,在上述傾斜部中,直線部的第二傾斜角度為85°≤第二傾斜角度<90°。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,
還包括種子裝載部,在上述藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝的底部朝向下側(cè)延伸而成,用于裝載單晶種子,
上述種子裝載部呈溝槽形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,在藍(lán)寶石單晶錠中生成的線性老化角度(θ1)為60°以下且上述種子裝載部與坩堝的底部之間的角度(θ2)為90°時(shí),殘留種子上部的種子裝載部的深度(h)被設(shè)定為種子裝載部底部面的寬度(W)的86.6~100%范圍的長度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的藍(lán)寶石單晶生長裝置用坩堝,其特征在于,在藍(lán)寶石單晶錠中生成的線性老化角度(θ1)為60°以上且上述種子裝載部與坩堝的底部之間的角度(θ2)為90°以上時(shí),殘留種子上部的種子裝載部的深度(h)大于種子裝載部底部面的寬度(W)的100%范圍的長度,或者使底部面的寬度(W)變小。
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