[發明專利]封裝結構、半導體器件、電子設備有效
| 申請號： | 201811355758.1 | 申請日： | 2018-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN111193492B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 楊清瑞;龐慰;孫晨;張孟倫 | 申請（專利權）人： | 天津大學;諾思（天津）微系統有限責任公司 |
| 主分類號： | H03H9/54 | 分類號： | H03H9/54;H03H9/05;H03H9/10 |
| 代理公司： | 北京金誠同達律師事務所 11651 | 代理人： | 湯雄軍 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 結構 半導體器件 電子設備 | ||
1.一種半導體器件用封裝結構，所述半導體器件包括對置的第一基底與第二基底，所述封裝結構包括：
墊圈結構，所述墊圈結構自第二基底朝向第一基底凸出；和
粘附層，設置在墊圈結構與第一基底相對的端面和/或設置在第一基底上與墊圈結構相對的表面，
其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為：所述截面的寬度在墊圈結構的凸出方向上變小。
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為梯形。
3.根據權利要求1所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為大小兩個矩形組合的形狀。
4.根據權利要求1所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為大小三個矩形組合的形狀。
5.根據權利要求1所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為梯形與矩形組合的形狀。
6.根據權利要求1所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為大小梯形組合的形狀。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一側墊圈結構的寬度范圍為15-140μm；所述第一基底的一側墊圈結構的寬度范圍為10-100μm。
8.根據權利要求7所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一側墊圈結構的寬度范圍為25-70μm。
9.根據權利要求7所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，所述第一基底的一側墊圈結構的寬度范圍為20-40μm。
10.根據權利要求7所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為大小兩個矩形組合的形狀；且
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一側墊圈結構的厚度范圍為1-20μm；所述第一基底的一側墊圈結構的厚度范圍為1-20μm。
11.根據權利要求10所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，所述第二基底和/或所述第一基底一側的墊圈結構的厚度范圍為2-8μm。
12.根據權利要求7所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀為三層幾何體組合的形狀；且
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，每一層幾何體的厚度范圍為1-12μm。
13.根據權利要求12所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，每一層幾何體的厚度范圍為2-8μm。
14.根據權利要求1-6、8-13中任一項所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面中，所述封裝結構在第二基底上的中點與所述封裝結構在第二基底上的中點的連線構成中心線；
所述墊圈結構的垂直于墊圈延伸方向的截面形狀關于所述中心線對稱。
15.根據權利要求1-6、8-13中任一項所述的封裝結構，其中：
所述墊圈結構的所述端面設置有壓強增加結構。
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