[發明專利]一種非易失性存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201811354139.0
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN111192877B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 陳耿川
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

1.一種非易失性存儲器，其特征在于，包括：

一襯底；

至少一淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構的頂面高于所述襯底的頂面，且所述淺溝槽隔離結構的下部嵌于所述襯底中，以在所述襯底中界定出多個有源區；

至少一浮柵結構，位于所述襯底上，自下而上依次包括第一柵介電層與第一導電層，所述第一導電層具有第一尖銳部與第二尖銳部，所述第一尖銳部與所述第二尖銳部分別依附于所述淺溝槽隔離結構的相對兩側壁，且所述第一尖銳部與所述第二尖銳部的尖端高于所述淺溝槽隔離結構的頂面；

至少一控制柵結構，位于所述浮柵結構上并遮蓋所述浮柵結構的部分區域，自下而上依次包括第二柵介電層與第二導電層，所述浮柵結構的一側面與所述浮柵結構的一部分頂面所構成的一拐角未被所述控制柵結構遮蓋，所述拐角連接于所述第一尖銳部與所述第二尖銳部的一端之間；

至少一擦除柵結構，位于所述襯底上，并位于所述浮柵結構具有所述拐角的一側，自下而上依次包括隧穿介電層與擦除柵導電層，所述隧穿介電層包覆所述第一尖銳部、所述第二尖銳部及所述拐角的尖端部分；

至少一字線結構，位于所述襯底上，并位于所述浮柵結構遠離所述拐角的一側，自下而上依次包括第三柵介電層與字線導電層；

硅化物層，位于漏區表面、所述字線導電層表面及所述擦除柵導電層表面。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述第一尖銳部的高度范圍是20-100nm，所述第二尖銳部的高度范圍是20-100nm。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述隧穿介電層位于源區上方的部分的厚度大于所述第一柵介電層的厚度。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述非易失性存儲器還具有一保護介電層形成于所述控制柵結構上，所述隧穿介電層還覆蓋所述保護介電層的一部分。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述非易失性存儲器還具有至少一側墻結構，所述側墻結構設置于所述控制柵結構與所述擦除柵結構之間、所述浮柵結構與所述字線結構之間、所述控制柵結構與所述字線結構之間及所述字線結構遠離所述浮柵結構的一側。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述非易失性存儲器還包括至少一源區與至少一漏區，所述源區與所述漏區位于所述襯底中，且所述源區相對位于所述擦除柵結構下方并與所述浮柵結構部分交迭，所述漏區位于所述字線結構遠離所述浮柵結構的一側并與所述字線結構部分交迭。

7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述非易失性存儲器還包括一硅化物層、一層間介電層、至少一金屬位線及至少一接觸插塞，所述硅化物層位于所述漏區表面、所述字線導電層表面及所述擦除柵導電層表面，所述層間介電層位于所述襯底上并覆蓋所述襯底上的結構，所述金屬位線位于所述層間介電層上，所述接觸插塞位于所述層間介電層中，所述接觸插塞的頂端與所述金屬位線連接，所述接觸插塞的底端與所述漏區連接。

8.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述襯底為P型襯底，所述第一導電層、所述第二導電層、所述擦除柵導電層及所述字線導電層均為N型摻雜；或者所述襯底為N型襯墊，所述第一導電層、所述第二導電層、所述擦除柵導電層及所述字線導電層均為P型摻雜。

9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述第一柵介電層的厚度范圍是5-15nm，所述第二柵介電層的厚度范圍是10-22nm，所述隧穿介電層的厚度范圍是8-15nm，所述第三柵介電層的厚度范圍是2-8nm。

10.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于：所述第一導電層、所述第二導電層、所述擦除柵導電層及所述字線導電層的材質均包括摻雜多晶硅。