[發明專利]導線結構及其制造方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201811353181.0
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN109449168B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 劉天真;段獻學;徐德智
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉劍波

本公開提供一種導線結構及其制造方法、陣列基板和顯示裝置。導線結構包括：第一導線和第二導線，其中第一導線的連接端與第二導線的連接端通過間隙間隔開，以便通過間隙釋放在第一導線和第二導線上積累的電荷；電連接件，分別與第一導線的連接端與第二導線的連接端連接。本公開通過在電連接的第一導線和第二導線間設置間隙，通過間隙釋放在第一導線和第二導線上積累的電荷。由此可有效避免因電荷釋放而對器件造成的影響，有效提升產品良率。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，特別涉及一種導線結構及其制造方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)器件的相關技術中，由于IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，銦鎵鋅氧化物)具有較高的電子遷移率及較低的漏電流，因此利用IGZO制造的TFT能夠滿足更高性能和更大尺寸的驅動電路的需求。

發明內容

發明人通過研究發現，在基于IGZO的TFT的制造過程中，ESD(Electro-StaticDischarge，靜電釋放)發生率較高。同層相鄰的金屬走線間發生ESD，導致金屬走線上的絕緣層被擊穿。由此，相鄰層之間的金屬走線會發生短路。

本公開提出一種為ESD提供有效釋放路徑的方案。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種導線結構，包括：第一導線和第二導線，其中所述第一導線的連接端與所述第二導線的連接端通過間隙間隔開，以便通過所述間隙釋放在所述第一導線和所述第二導線上積累的電荷；電連接件，分別與所述第一導線的連接端與所述第二導線的連接端連接。

在一些實施例中，所述第一導線的延伸方向和所述第二導線的延伸方向重合。

在一些實施例中，所述間隙為5～10微米。

在一些實施例中，所述第一導線和所述第二導線的線寬為5～10微米。

在一些實施例中，所述第一導線和所述第二導線為柵極走線。

在一些實施例中，所述電連接件包括：第一連接部，與所述第一導線的連接端電連接；與所述第二導線的連接端連接；第二連接部，與所述第一導線的連接端電連接；第三連接部，與所述第一連接部和所述第二連接部電連接。

根據本公開實施例的第二方面，提供一種陣列基板，包括如上述任一實施例涉及的導線結構。

在一些實施例中，所述導線結構中的間隙位于顯示區中。

根據本公開實施例的第三方面，提供一種顯示裝置，包括如上述任一實施例涉及的陣列基板。

根據本公開實施例的第四方面，提供一種導線結構的制造方法，包括：形成第一導線和第二導線，其中所述第一導線的連接端與所述第二導線的連接端通過間隙間隔開，以便通過所述間隙釋放在所述第一導線和所述第二導線上積累的電荷；形成電連接件，其中所述電連接件分別與所述第一導線的連接端與所述第二導線的連接端連接。

在一些實施例中，所述第一導線的延伸方向和所述第二導線的延伸方向重合。

在一些實施例中，所述間隙為5～10微米。

在一些實施例中，所述第一導線和所述第二導線的線寬為5～10微米。

本公開通過在電連接的第一導線和第二導線間設置間隙，通過間隙釋放在第一導線和第二導線上積累的電荷。由此可有效避免因靜電釋放而對器件造成的影響，有效提升產品良率。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。