[發(fā)明專利]一種氣相晶體生長方法及氧化鋅晶體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811352761.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN109280969B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊龍;鐘昌杰;吳衛(wèi)東;彭麗萍;趙妍;王新明;王進(jìn);王雪敏;陳姝帆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院激光聚變研究中心
• 主分類號(hào): C30B29/16
• 分類號(hào): C30B29/16;C30B23/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種氣相晶體生長方法，其特征在于，包括：

將懸掛有籽晶的封帽固定在裝有原料的坩堝上后得到晶體生長裝置，所述籽晶與所述封帽、坩堝壁均為間隔設(shè)置，所述籽晶位于所述坩堝壁限定形成的腔體內(nèi)；

在晶體生長爐內(nèi)加熱所述晶體生長裝置以進(jìn)行晶體生長，并使所述籽晶的溫度為所述晶體生長裝置內(nèi)軸線上的最低溫度，且所述封帽和所述原料的溫度均比所述籽晶的溫度高10-40℃，晶體生長時(shí)間為10-30天；

晶體生長結(jié)束后，在所述晶體生長爐內(nèi)對(duì)所述封帽和所述原料進(jìn)行降溫，并使所述籽晶的溫度為所述晶體生長裝置內(nèi)軸線上的最高溫度，且所述封帽和所述原料的溫度均比所述籽晶的溫度低15-30℃，降溫后保溫1-5小時(shí)；

保溫1-5小時(shí)后，在所述晶體生長爐內(nèi)對(duì)所述封帽、所述原料以及所述籽晶同時(shí)進(jìn)行降溫，且始終保持所述籽晶的溫度為所述晶體生長裝置內(nèi)軸線上的最高溫度，降溫時(shí)間為20-40小時(shí)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相晶體生長方法，其特征在于，將所述封帽固定在所述坩堝上的步驟包括：

先將所述封帽與所述坩堝通過焊接進(jìn)行相對(duì)位置的固定，再抽真空至10^-3-10^-5Pa，使所述封帽與所述坩堝焊接為一體，且所述坩堝內(nèi)為真空狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相晶體生長方法，其特征在于，所述籽晶通過貴金屬絲懸掛于所述封帽上，所述貴金屬絲包括鉑絲、金絲、銠絲、中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣相晶體生長方法，其特征在于，所述封帽包括石英管、第一石英棒和第二石英棒，所述石英管一端開口，另一端設(shè)置有封蓋，所述第一石英棒與所述第二石英棒分別連接于所述封蓋的兩側(cè)，所述第二石英棒通過所述貴金屬絲與所述籽晶相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相晶體生長方法，其特征在于，所述晶體生長爐安裝有第一熱電偶、第二熱電偶以及第三熱電偶，所述第一熱電偶用于監(jiān)測(cè)所述封帽處的溫度，所述第二熱電偶用于監(jiān)測(cè)所述籽晶處的溫度，所述第三熱電偶用于監(jiān)測(cè)所述原料處的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相晶體生長方法，其特征在于，所述晶體生長爐為管式加熱爐，垂直于爐管軸線方向上的最大溫差小于或等于2℃，所述晶體生長裝置懸掛于所述晶體生長爐的中軸線上。