[發(fā)明專(zhuān)利]選擇性蝕刻的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811352456.9
• 申請(qǐng)日: 2018-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109786238B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·魯;C·波瑞特;A·弗拉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: IMEC非營(yíng)利協(xié)會(huì);魯汶天主教大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/3065
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 蔡文清;樊云飛

1.一種用于制備水平環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，所述方法包括：

在加工室中提供具有上表面(15)的基板(10)，其中，第一特征件(30)和第二特征件(20)通過(guò)交替且重復(fù)地彼此堆疊而設(shè)置在上表面(15)上，從而形成多層堆疊體(40、41、42)，并且其中，上表面(15)包含松弛的Si_1-xGe_x或松弛的Ge，其中x為至少50原子％，所述第一特征件(30)包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件(20)包含第二IV族材料；其中，含Sn的第一IV族材料是Ge_1-ySn_y并且包含摻雜元素，其中，4原子％y20原子％，摻雜劑是n型摻雜劑或p型摻雜劑，并且其中，第二IV族材料是Ge；

-在加工室中對(duì)基板(10)進(jìn)行加熱，并且隨后；

-進(jìn)行蝕刻處理，所述蝕刻處理包括：

a.將蝕刻氣體引入加工室中，

b.對(duì)基板(10)施加蝕刻氣體，其中，蝕刻氣體是基于氯或基于溴的氣體，由此相對(duì)于第二特征件(20)選擇性去除第一特征件(30)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，摻雜元素是n型的。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，蝕刻處理是氣相蝕刻法，并且在載氣的存在下，將基于氯或基于溴的蝕刻氣體提供至加工室中。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，將基板(10)加熱至低于500℃的溫度。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，基于氯的氣體是Cl₂或HCl。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，基于溴的氣體是Br₂或HBr。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：在進(jìn)行蝕刻處理后，在第二特征件(20)上提供保形覆蓋層。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，提供保形覆蓋層在原位進(jìn)行。

9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其中，所述覆蓋層是Si覆蓋層。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，上表面(15)分別包含第一區(qū)域(I)中的松弛的Si_1-xGe_x以及第二區(qū)域(II)中的松弛的Ge，第一區(qū)域(I)位于距離第二區(qū)域(II)一段距離(g)的位置，并且其中，多層堆疊體(40、41、42)是在第一區(qū)域(I)上的第一多層堆疊體(41)，所述第一多層堆疊體與第二區(qū)域(II)上的第二多層堆疊體(42)分隔所述距離(g)，并且其中，水平環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是互補(bǔ)的水平環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一特征件(30)和第二特征件(20)是納米線或納米片。