[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201811352193.1
• 申請日: 2015-04-15
• 公開（公告）號: CN109637992B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 城直樹;清水完;脅山悟;林利彥;中村卓矢
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L23/48;H01L27/146;H01L21/60
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 鹿屹;曹正建

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

第一半導體元件，具有第一電極、設置在所述第一電極上的第一金屬層、設置在所述第一金屬層上的第二金屬層和鈍化層；

第二半導體元件，具有第二電極；以及

微凸塊，設置在所述第一半導體元件與所述第二半導體元件之間，

所述鈍化層覆蓋所述第一金屬層和所述第二金屬層各自的上表面的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述微凸塊包含Sn。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述微凸塊與所述鈍化層的斷面相接。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬層由屬于釩族的金屬制成。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬層由所述第二金屬層所使用的屬于釩族的所述金屬的氮化物膜制成。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬層是Ta，所述第一金屬層是TaN。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬層的平均厚度為30nm以上。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬層的平均厚度為10nm以上。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一半導體元件的所述第一電極形成有與所述微凸塊相對的凹狀的凸塊焊盤，

所述凸塊焊盤的表面由所述第一金屬層和所述第二金屬層覆蓋。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，在所述第一半導體元件上設置有直徑不同的多個所述凸塊焊盤。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述凸塊焊盤的直徑取決于與其連接的所述第一電極的用途而不同。

12.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二半導體元件的所述微凸塊的直徑與對應的所述第一半導體元件的所述凸塊焊盤的直徑對應。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置為將相當于所述第二半導體元件的邏輯芯片與相當于所述第一半導體元件的像素基板CoW連接的堆疊型CMOS圖像傳感器。

14.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

將具有第一電極、設置在所述第一電極上的第一金屬層、設置在所述第一金屬層上的第二金屬層和鈍化層的第一半導體元件的所述第一金屬層和所述第二金屬層各自的上表面的至少一部分由所述鈍化層覆蓋；以及

將所述第一半導體元件和具有第二電極的第二半導體元件由微凸塊連接。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述微凸塊包含Sn。

16.根據權利要求14或15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述微凸塊與所述鈍化層的斷面相接。

17.根據權利要求16所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括如下步驟：

在所述第二半導體元件的所述第二電極形成所述微凸塊；以及

在所述第一半導體元件的所述第一電極形成與所述微凸塊相對的凹狀的凸塊焊盤。