[發明專利]電容器及制造該電容器的方法有效
| 申請號: | 201811352166.4 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN110098053B | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 張昌洙;金侖熙;鄭雄圖;柳廷勳 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/228 | 分類號: | H01G4/228 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 祝玉媛;孫麗妍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 制造 方法 | ||
本公開提供一種電容器及制造該電容器的方法,所述電容器包括:基板,包括彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽;第一電極,設置在第一溝槽中以及基板的一個表面上;第二電極,設置在第二溝槽中以及基板的一個表面上,并與第一電極間隔開;第一焊盤電極和第二焊盤電極,分別布置在第一電極和第二電極上;以及鈍化層,設置在第一電極和第二電極以及第一焊盤電極和第二焊盤電極上,并具有分別部分地暴露第一焊盤電極和第二焊盤電極的開口。
本申請要求于2018年1月31日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0011844號韓國專利申請的優先權的權益,所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。
技術領域
本公開涉及一種電容器及制造該電容器的方法。
背景技術
近來,需要高容量數據傳輸的應用(例如虛擬現實(VR)和三維(3D)全息圖)已經在市場上可買到。對于高容量數據傳輸,需要第5代(5G)移動通信,因此,近來對5G移動通信的需求已不斷增加。
到目前為止,尚未清楚地確定5G移動通信頻帶,但預期將使用幾十GHz的高頻。因此,用于射頻(RF)匹配5G移動通信的電容器預期具有30GHz或更高的高諧振頻率和1pF的水平的容量。
通常,電容器在這樣的高頻下具有電感器的性質,因此,已知電容器被簡單的金屬圖案(例如微帶)代替。
然而,當微帶實際設計成安裝在電路板中時,由于微帶的圖案的失效而導致整個封裝件廢棄,因此存在良率顯著降低的問題。
在經由電力燒結(power sintering)制造的通常的多層陶瓷電容器(MLCC)的情況下,存在如下問題:由于根據片的設計的限制輸入端子和輸出端子之間的距離而難以實現具有高諧振頻率和低容量的電容器。
因此,需要開發具有高諧振頻率和低容量、被單獨制造并安裝在電路板上的高頻RF匹配電容器。
發明內容
本公開的一方面可提供一種高頻射頻(RF)匹配電容器,所述高頻射頻(RF)匹配電容器具有高諧振頻率和低容量、被單獨制造并且安裝在電路板上。
本公開的另一方面可提供一種最小化焊盤電極之間的間隔和最小化電流路徑以實現低的等效串聯電感(ESL)的電容器。
根據本公開的示例性實施例,一種電容器包括:基板,包括彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽;第一電極,設置在所述第一溝槽中以及所述基板的一個表面上;第二電極,設置在所述第二溝槽中以及所述基板的所述一個表面上,并與所述第一電極間隔開;第一焊盤電極和第二焊盤電極,分別布置在所述第一電極和所述第二電極上;以及鈍化層,設置在所述第一電極和所述第二電極以及所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極上,并具有分別部分地暴露所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極的開口。
根據本公開的另一示例性實施例,一種制造電容器的方法包括:制備基板;在所述基板中形成彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽;在所述第一溝槽和所述第二溝槽中以及在所述基板的一個表面上形成電極,并在所述電極上形成焊盤電極;去除所述焊盤電極的部分以將所述焊盤電極分為第一焊盤電極和第二焊盤電極,并去除所述電極的部分以將所述電極分為第一電極和第二電極;形成鈍化層以覆蓋所述第一電極和所述第二電極以及所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極;以及去除所述鈍化層的部分以部分地暴露所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極。
附圖說明
通過下面結合附圖進行的詳細描述,本公開的以上和其他方面、特征和其他優點將被更加清楚地理解,在附圖中:
圖1是根據本公開的實施例的電容器的示意性透視圖;
圖2是沿圖1的線I-I'截取的截面圖;
圖3是根據本公開的另一實施例的電容器的截面圖;
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