[發明專利]氣體處理系統、氣體處理方法及原子層沉積設備在審
| 申請號: | 201811351794.0 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN111188026A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 紀紅;史小平;蘭云峰;秦海豐;趙雷超;張文強 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 處理 系統 方法 原子 沉積 設備 | ||
1.一種氣體處理系統,其特征在于,包括:
第一氣路,用于向反應腔室內通入第一工藝氣體;在所述第一氣路上設置有第一開關;
第一旁路,其進氣端與所述第一氣路連接,用于排出所述第一氣路中的第一工藝氣體,使之不流入所述反應腔室;在所述第一旁路上設置有第二開關;
第二氣路,用于向反應腔室內通入第一吹掃氣體;在所述第二氣路上設置有第三開關;
第二旁路,其進氣端與所述第二氣路連接,用于排出所述第二氣路中的第一吹掃氣體,使之不流入所述反應腔室;在所述第二旁路上設置有第四開關。
2.根據權利要求1所述的氣體處理系統,其特征在于,還包括:
回收設備,與所述第一旁路的出氣端連接,用于回收所述第一工藝氣體。
3.根據權利要求2所述的氣體處理系統,其特征在于,所述第一工藝氣體為臭氧;
所述氣體處理系統還包括臭氧產生裝置,所述臭氧產生裝置的出氣端與所述第一氣路的進氣端連接;
所述回收設備包括臭氧破解器、增壓裝置和存儲裝置,其中,
所述臭氧破解器分別與所述第一旁路的出氣端和所述增壓裝置連接,用于將所述第一旁路流出的臭氧分解為氧氣;
所述增壓裝置與所述存儲裝置連接,用于將來自所述臭氧破解器的氧氣輸送至所述存儲裝置;
所述存儲裝置與所述臭氧產生裝置的進氣端連接,用于存儲所述氧氣,并能夠向所述臭氧產生裝置提供所述氧氣。
4.根據權利要求3所述的氣體處理系統,其特征在于,所述氣體處理系統還包括:
第三氣路,用于向所述存儲裝置提供氧氣;在所述第三氣路上設置有第一流量調節閥;
第四氣路,用于向所述存儲裝置提供氮氣;在所述第四氣路上設置有第二流量調節閥。
5.根據權利要求3所述的氣體處理系統,其特征在于,所述回收設備還包括壓力檢測裝置,用于檢測所述存儲裝置中的氣體壓力。
6.根據權利要求1-5任意一項所述的氣體處理系統,其特征在于,所述氣體處理系統還包括:
排氣裝置,分別與所述反應腔室和所述第二旁路的出氣端連接,用于排出所述反應腔室中的氣體和所述第二旁路中的第一吹掃氣體。
7.根據權利要求6所述的氣體處理系統,其特征在于,所述排氣裝置包括排氣氣路,所述排氣氣路的兩端分別與所述反應腔室和尾氣處理系統連接;并且,在所述排氣氣路上設置有抽氣裝置,用于抽出所述反應腔室內的氣體;
在所述排氣氣路上,且位于所述抽氣裝置與所述尾氣處理系統之間設置有單向閥,并且,所述第二旁路的出氣端位于所述單向閥與所述尾氣處理系統之間。
8.根據權利要求1-5任意一項所述的氣體處理系統,其特征在于,所述氣體處理系統還包括:
第五氣路,用于向所述反應腔室內通入稀釋氣體;在所述第五氣路上設置有第三流量調節閥;
第六氣路,其出氣端與所述第五氣路連接,用于向所述第五氣路輸送第二吹掃氣體;在所述第六氣路上設置有第五開關和第四流量調節閥;
源瓶,用于存儲第二工藝氣體;
第三旁路,其進氣端與所述第六氣路連接,且位于所述第五開關的上游;所述第三旁路的出氣端與所述源瓶的進氣端連接;在所述第三旁路上設置有第六開關;
第四旁路,其出氣端與所述第六氣路連接,且位于所述第五開關的下游;所述第四旁路的進氣端與所述源瓶的出氣端連接;在所述第四旁路上設置有第七開關。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





