[發(fā)明專利]一種抗大電流沖擊的LED芯片及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811351507.6
• 申請(qǐng)日: 2018-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN109509821A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 仇美懿;莊家銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種抗大電流沖擊的LED芯片，其特征在于，包括襯底、設(shè)置在襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)、設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)上的透明疊層、以及第一電極和第二電極；

所述透明疊層包括M層橫向擴(kuò)散層和M+1層透明導(dǎo)電層，M≧1，所述橫向擴(kuò)散層設(shè)置在兩層透明導(dǎo)電層之間；

所述橫向擴(kuò)散層的電阻小于所述透明導(dǎo)電層的電阻。

2.如權(quán)利要求1所述的抗大電流沖擊的LED芯片，其特征在于，所述橫向擴(kuò)散層的電阻比透明導(dǎo)電層的電阻小3-10％，所述橫向擴(kuò)散層的材料的電阻率小于所述透明導(dǎo)電層的材料的電阻率。

3.如權(quán)利要求2所述的抗大電流沖擊的LED芯片，其特征在于，所述橫向擴(kuò)散層由銅、銀、金和鋁中的一種或幾種制成，所述透明導(dǎo)電層由銦錫氧化物制成。

4.如權(quán)利要求3所述的抗大電流沖擊的LED芯片，其特征在于，所述橫向擴(kuò)散層的厚度為0.5-20nm，所述透明導(dǎo)電層的厚度為40-360nm。

5.如權(quán)利要求1所述的抗大電流沖擊的LED芯片，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層、第二半導(dǎo)體層以及刻蝕至第一半導(dǎo)體層的裸露區(qū)域，其中，第一層透明導(dǎo)電層設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上，第二電極設(shè)置在第M+1層透明導(dǎo)電層上，第一電極設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上。

6.一種抗大電流沖擊的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；

在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成透明疊層，所述透明疊層包括M層橫向擴(kuò)散層和M+1層透明導(dǎo)電層，M≧1，所述橫向擴(kuò)散層設(shè)置在兩層透明導(dǎo)電層之間，其中，所述橫向擴(kuò)散層的電阻小于所述透明導(dǎo)電層的電阻；

對(duì)透明疊層進(jìn)行加熱，完成合金，合金溫度為400-650℃；

在第M+1層透明導(dǎo)電層上形成第二電極，在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第二電極。

7.如權(quán)利要求6所述的抗大電流沖擊的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述橫向擴(kuò)散層的電阻比透明導(dǎo)電層的電阻小3-10％，所述橫向擴(kuò)散層的材料的電阻率小于所述透明導(dǎo)電層的材料的電阻率。

8.如權(quán)利要求7所述的抗大電流沖擊的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述橫向擴(kuò)散層由銅、銀、金和鋁中的一種或幾種制成，所述透明導(dǎo)電層由銦錫氧化物制成。

9.如權(quán)利要求8所述的抗大電流沖擊的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述橫向擴(kuò)散層的厚度為0.5-20nm，所述透明導(dǎo)電層的厚度為40-360nm。

10.如權(quán)利要求6所述的抗大電流沖擊的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層、第二半導(dǎo)體層以及刻蝕至第一半導(dǎo)體層的裸露區(qū)域，其中，第一層透明導(dǎo)電層設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上，第一電極設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上。