[發明專利]一種聚3;4-乙基二氧吡咯納米線的合成方法在審
| 申請號: | 201811350710.1 | 申請日: | 2018-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN109402768A | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發明(設計)人: | 汪元元 | 申請(專利權)人: | 上海萃勵電子科技有限公司 |
| 主分類號: | D01F6/94 | 分類號: | D01F6/94;C08G73/06;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201799 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 乙基 吡咯 納米線 合成 乙腈溶液 模板劑 超級電容器 持續攪拌 攪拌溶解 金屬防腐 三氯化鐵 微波吸收 微觀形貌 洗滌干燥 電催化 乙腈 應用 沉淀 過濾 | ||
本發明提供一種聚3,4?乙基二氧吡咯納米線的合成方法,其特征在于,包括以下步驟:將3,4?乙基二氧吡咯和模板劑加入乙腈中,攪拌溶解,將三氯化鐵溶于另一份乙腈溶液中,再以兩秒每滴的速度加入第一份乙腈溶液中,持續攪拌反應8~12小時后得到沉淀,過濾后經洗滌干燥得到聚3,4?乙基二氧吡咯納米線。本發明工藝簡單,易于大批量合成,合成聚3,4?乙基二氧吡咯納米線微觀形貌可通過模板劑控制。所得產物可應用于可應用于金屬防腐、微波吸收涂層、超級電容器、電催化等領域。
技術領域
本發明屬于材料化學技術領域,涉及一種聚3,4-乙基二氧吡咯納米線的合成方法。
背景技術
聚3,4-乙基二氧噻吩(PEDOT)具有分子結構簡單、能隙小、電導率高等特點,被廣泛用作有機薄膜太陽能電池材料、OLED材料、電致變色材料、透明電極材料等領域的研究,是目前商業化穩定的有機電子材料。聚3,4-乙基二氧吡咯具有與PEDOT相似的結構,由含N的吡咯雜環替代噻吩環。一維結構的聚3,4-乙基二氧噻吩已有大量報道,具有許多獨特性質,可用于柔性導電、鋰離子電池、超級電容、電致變色等多種領域。聚3,4-乙基二氧吡咯納米線的合成與性能目前鮮有報道。
發明內容
本發明的目的在于提供一種聚3,4-乙基二氧吡咯納米線的合成方法,其特征在于,包括以下步驟:將3,4-乙基二氧吡咯和模板劑加入乙腈中,攪拌溶解,將三氯化鐵溶于另一份乙腈溶液中,再以兩秒每滴的速度加入第一份乙腈溶液中,持續攪拌反應8~12小時后得到沉淀,過濾后經洗滌干燥得到聚3,4-乙基二氧吡咯納米線。
所述3,4-乙基二氧吡咯在混合溶液中濃度1mmol/L~2mmol/L。
所述模板劑包括十二烷基硫酸鈉、十二烷基硫酸鉀、十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基苯磺酸鉀中的一種,混合溶液中濃度0.01mol/L~0.02mol/L。
所述三氯化鐵的加入量為3,4-乙基二氧吡咯摩爾量的2~5倍。
所述的洗滌是用去離子水和乙醇交替洗滌,每次洗滌后采用離心機沉淀或抽濾設備進行過濾,過濾產物重新在去離子水或乙醇中分散,反復過濾直到濾液pH值為7,最后一次用乙醇洗滌以方便干燥;所述的干燥是在50~80℃真空烘箱中烘干,真空干燥條件為真空度<133Pa。
本發明工藝簡單,易于大批量合成,合成聚3,4-乙基二氧吡咯納米線微觀形貌可通過模板劑控制。所得產物可應用于可應用于金屬防腐、微波吸收涂層、超級電容器、電催化等領域。
本發明的內容和特點已揭示如上,然而前面敘述的本發明僅僅簡要地或只涉及本發明的特定部分,本發明的特征可能比在此公開的內容涉及的更多。因此,本發明的保護范圍應不限于實施例所揭示的內容,而應該包括在不同部分中所體現的所有內容的組合,以及各種不背離本發明的替換和修飾,并為本發明的權利要求書所涵蓋。
附圖說明
圖1為采用本發明(實施例1)合成聚3,4-乙基二氧吡咯納米線的掃描電鏡照片。
具體實施方式
實施例1
將2mmol/L的3,4-乙基二氧吡咯和0.02mol/L十二烷基硫酸鈉加入50mL乙腈中,攪拌溶解,將10mmol/L三氯化鐵溶于另一份50mL乙腈溶液中,再以兩秒每滴的速度加入第一份乙腈溶液中,持續攪拌反應8小時后得到沉淀,過濾后經洗滌干燥得到如圖1所示的聚3,4-乙基二氧吡咯納米線。
實施例2
將4mmol/L的3,4-乙基二氧吡咯和0.02mol/L十二烷基苯磺酸鈉加入50mL乙腈中,攪拌溶解,將8mmol/L三氯化鐵溶于另一份50mL乙腈溶液中,再以兩秒每滴的速度加入第一份乙腈溶液中,持續攪拌反應12小時后得到沉淀,過濾后經洗滌干燥得到聚3,4-乙基二氧吡咯納米線。
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