[發(fā)明專利]一種含抑制縫隙散射涂層的縮比目標(biāo)構(gòu)造方法

有效

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• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109614652B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許勇剛;袁黎明;梁子長;高偉;張元
• 申請（專利權(quán)）人: 上海無線電設(shè)備研究所
• 主分類號: G16C60/00
• 分類號: G16C60/00;G06F30/17
• 代理公司: 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323
• 代理人: 張妍;徐雯瓊

1.一種含抑制縫隙散射涂層的縮比目標(biāo)構(gòu)造方法，其特征在于，包含以下過程：在考慮縮比材料反射特性的基礎(chǔ)上，對目標(biāo)弱散射源與材料之間的結(jié)構(gòu)效應(yīng)進行仿真分析，然后通過采取調(diào)整縫隙寬度優(yōu)化出縮比目標(biāo)模型；所述構(gòu)造方法進一步包括：

步驟S1、原型隱身材料數(shù)據(jù)和含縫模型參數(shù)的輸入；

所述步驟S1進一步包含：

所述原型隱身材料數(shù)據(jù)包括材料的電磁參數(shù)和厚度d；

所述電磁參數(shù)包括復(fù)數(shù)介電常數(shù)ε、復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率μ、原型測試頻率f和縮比系數(shù)s；

所述含縫模型參數(shù)包括含縫模型的幾何尺寸；

在所述含縫模型的除縫隙處外的上表面涂覆隱身材料，所述含縫模型的幾何尺寸包括：含縫模型設(shè)有的金屬平板的長度a、寬度b和厚度t，金屬平板的下表面邊緣倒角斜率，以及含縫模型的縫隙的長度l和寬度w和厚度p；

步驟S2、對原型隱身材料斜反射率進行計算；

所述步驟S2進一步包含：根據(jù)所述原型隱身材料的電磁參數(shù)，以及原型隱身材料的厚度d，斜反射率利用單層材料的傳輸矩陣方程進行計算求解，計算公式如下：

式中，Z₀＝377Ω；

步驟S3、構(gòu)造縮比材料；

所述步驟S3進一步包含：根據(jù)預(yù)先建立的吸波材料電磁參數(shù)庫，采用遺傳算法對縮比材料的添加比和厚度進行優(yōu)化；

設(shè)定目標(biāo)函數(shù)為反射率偏差求和值，對入射角從0～90°范圍內(nèi)每隔1°的水平極化斜反射率差值進行求和，電磁參數(shù)采用Hermite插值理論對任意添加比下的材料電磁參數(shù)進行插值計算，得到最終的添加比例和厚度，選取厚度最小項為最終的優(yōu)化結(jié)果；

步驟S4、設(shè)定縫隙寬度；所述步驟S4進一步包含：

對于含縫隙與隱身涂層的縮比模型，對除縫隙寬度外的縮比模型的金屬介質(zhì)部分按照縮比系數(shù)進行縮小；

縮比模型的隱身涂層的面積尺寸根據(jù)縮比系數(shù)進行縮小，縮比模型的隱身涂層的厚度為優(yōu)化的厚度，對縫隙寬度的調(diào)節(jié)量按照0mm、±0.5mm、±0.75mm、±1mm序列進行調(diào)節(jié)；

步驟S5、RCS仿真對比；所述步驟S5進一步包含：

選取沿水平方向入射的電磁波，電磁波始終垂直于所述金屬平板的對角線，用于削弱金屬邊緣對測試結(jié)果的影響；

定義：電磁波入射方向垂直于金屬平板平面時為0°入射角，入射角范圍為45°～90°；

入射電磁波電場方向包括HH極化和VV極化；

步驟S6、輸出縮比目標(biāo)模型；

所述步驟S6進一步包含：對縮比前和后的電磁波入射情況進行仿真分析計算，所述仿真分析包括單站RCS仿真或雙站RCS仿真，對縮比模型的RCS進行20lg(s)加權(quán)補償，對各樣件的RCS均值進行計算，縫隙補償量采用Hermite插值法來計算，擬合出RCS和全尺寸模型RCS均值最為接近的縫隙寬度。