[發明專利]一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法

有效

• 申請號: 201811347645.7
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109521295B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 呂賀;李鵬偉;孫明;張洪偉;梅博;于慶奎;李興冀;楊劍群
• 申請（專利權）人: 中國空間技術研究院
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01N1/44
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 張曉飛

1.一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法，待測試對象為同類型同批次含雙極工藝的元器件，其特征在于，包括步驟如下：

1)獲得所述待測試對象輻照前的電參數測試結果；

2)將多個同類型同批次待測試對象制作成多個輻照試驗線路板；將所述多個輻照試驗線路板分組，分別進行不同劑量率、不同偏置的電離輻照試驗，獲得多個輻照劑量點的電參數測試結果；

3)根據所述步驟1)獲得的所述輻照前的電參數測試結果和步驟2)獲得的多個輻照劑量點的電參數測試結果，確定所述待測試對象的電參數退化量的比值和待測試對象的電參數退化可靠性影響因子；

4)根據所述步驟3)確定的電參數退化量的比值和電參數退化可靠性影響因子，判定所述待測試對象是否具有低劑量率輻照損傷增強效應；

所述步驟3)確定所述待測試對象的電參數退化可靠性影響因子R的方法，具體為：

其中，S_T-LDSR為所述低劑量率的電離輻照試驗中獲得的電參數測試結果，P_R為該待測試對象電參數的可靠性判據值，即，P_R為該待測試對象電參數的最大值或最小值；

所述步驟4)判定所述待測試對象是否具有低劑量率輻照損傷增強效應的方法，具體為：

當Γ_LDSR/HDSR≥3且R≥1時，判定待測試對象具有低劑量率輻照損傷增強效應，則對與待測試相同類型批次的元器件進行抗輻射總劑量能力評估時，應進行低劑量率電離輻照試驗；

當Γ_LDSR/HDSR和R的值為其余情況時，判定待測試對象不具有低劑量率輻照損傷增強效應，則對與待測試相同類型批次的元器件進行抗輻射總劑量能力評估時，應進行高劑量率電離輻照試驗；

所述步驟3)確定所述待測試對象的電參數退化量的比值的方法，具體為：

其中，S_T-LDSR和S_T-HDSR為在同一輻照劑量點，所述低劑量率的電離輻照試驗和高劑量率的電離輻照試驗中獲得的電參數測試結果，S₀為輻照前該電參數的初測試值。

2.根據權利要求1所述的一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法，其特征在于，所述電參數測試結果為所述待測試對象的失調電壓值、輸入失調電流值、偏置電流值、開環電壓增益值、放大倍數、漏電流值中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法，其特征在于，所述步驟2)將多個輻照試驗線路板分組，分別進行不同劑量率、不同偏置的電離輻照試驗的方法，具體為：將所述多個輻照試驗線路板分為4n組，其中，2n組輻照試驗線路板進行偏置處理，2n組輻照試驗線路板不進行偏置處理；分別選取n組進行偏置處理的輻照試驗線路板和n組未進行偏置處理的輻照試驗線路板進行低劑量率的電離輻照試驗，其余2n組輻照試驗線路板進行高劑量率的電離輻照試驗，n為正整數。

4.根據權利要求3所述的一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法，其特征在于，所述低劑量率的電離輻照試驗的低劑量率選取范圍小于0.0001Gy(Si)/s，所述高劑量率的電離輻照試驗的高劑量率選取范圍為0.01Gy(Si)/s～3Gy(Si)/s。

5.根據權利要求1所述的一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法，其特征在于，所述高劑量率電離輻照試驗高劑量率和低劑量率電離輻照試驗的低劑量率之比大于1000倍。

6.根據權利要求5所述的一種低劑量率輻照損傷增強效應判定方法，其特征在于，所述步驟2)多個輻照劑量點的確定方法，具體為：輻照劑量從0開始至累計總劑量，每間隔50～200Gy(Si)設置一個輻照劑量點。