[發(fā)明專利]一種電子設(shè)備及其沖擊電流的抑制電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811346844.6 | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN109495093A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫元帥 | 申請（專利權(quán)）人： | 鄭州云海信息技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/081 | 分類號： | H03K17/081;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 450018 河南省鄭州市*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第一端 電容 延時啟動電路 第一開關(guān) 導(dǎo)通 關(guān)斷 沖擊電流 電子設(shè)備 控制信號 抑制電路 端接地 控制端 電阻 電路器件 對地放電 降低沖擊 公共端 輸出端 輸入端 放電 應(yīng)用 | ||
1.一種沖擊電流的抑制電路，其特征在于，包括：
第一端與第一電阻的第一端連接，其公共端作為輸入端用于接收供電輸入，第二端作為輸出端用于與后級電路連接，控制端與第一電容的第一端連接的第一開關(guān)管；
第二端接地的所述第一電容，用于在延時啟動電路導(dǎo)通時，通過所述延時啟動電路對地放電使所述第一開關(guān)管導(dǎo)通，在所述延時啟動電路關(guān)斷時使所述第一開關(guān)管關(guān)斷；
第二端與所述第一電容的第一端連接的所述第一電阻；
第一端與所述第一電容的第一端連接，第二端接地的延時啟動電路，用于在控制端未接收到控制信號時，將自身的第一端與第二端關(guān)斷，當(dāng)接收到所述控制信號時，將自身的第一端與第二端導(dǎo)通，并且降低所述第一電容的放電速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述延時啟動電路包括：
第一端與所述第一電容的第一端連接，作為所述延時啟動電路的第一端，第二端與第二開關(guān)管的第一端連接，用于降低所述第一電容的放電速度的電阻模塊；
第二端接地，作為所述延時啟動電路的第二端，控制端作為所述延時啟動電路的控制端的所述第二開關(guān)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述電阻模塊包括：
第一端作為所述電阻模塊的第一端，第二端作為所述電阻模塊的第二端的第二電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述電阻模塊包括：
M個電阻，M個電阻的第二端均相互連接，作為所述電阻模塊的第二端，M為正整數(shù)；
M個開關(guān)單元，每個所述開關(guān)單元的第一端相互連接，作為所述電阻模塊的第一端，第k開關(guān)單元的第二端與第k電阻的第一端連接，k為正整數(shù)且1≤k≤M。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為IGBT。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為MOS管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述第一電容為電解電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的沖擊電流的抑制電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為P溝道MOS管，所述P溝道MOS管的漏極作為所述第一開關(guān)管的第一端，所述P溝道MOS管的源級作為所述第一開關(guān)管的第二端，所述P溝道MOS管的柵極作為所述第一開關(guān)管的控制端。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8任一項所述的沖擊電流的抑制電路。
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