[發明專利]電池片的外觀不良改善方法

在審

• 申請號: 201811346585.7
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109585598A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 李鑫;陳健生;許成德
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/67
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

本發明公開了一種電池片的外觀不良改善方法，包括制絨工序和刻蝕工序：A，選取硅片；B，硅片經過制絨槽、堿槽、酸槽腐蝕，以及水槽清洗；C，硅片離開最后水槽后，由滾軸式傳送機構傳送，經過密封的風干槽，以加溫后的純氮氣進行吹掃和風干，并以滾軸式傳送機構送出風干槽；D，硅片出制絨設備，完成制絨工藝流程。本發明的有益效果是：不僅適用于常規單、多晶工藝，并且也適用于現在流行的單、多晶PERC電池工藝以及單、多晶MWT電池工藝；制絨、刻蝕后硅片經過多點改善方法，硅片表面潔凈度大大提高，外觀不良比例明顯下降；穩定性較高，易于與現有產線結合，生產成本基本保持不變。

技術領域

本發明屬于太陽能電池片制造領域，具體是一種電池片外觀不良的改善方法。

背景技術

隨著現代工業化的發展，石油、天然氣等不可再生能源日益減少，新能源得到人們日益重視，而近幾年太陽能在新能源中發展迅速，比例也是越來越大。傳統電池生產線目前已無法大幅度提升效率，太陽能生產廠商將目光逐漸轉移至關注太陽能電池成品率，太陽能電池的成品率是衡量一個光伏企業技術水平的重要標準。中國專利文獻CN105374900A于2016年3月2日公開了“一種制備單晶硅表面鈍化電池的方法”，它具體實施步驟如下：(1)經過清洗制絨后的單晶硅片，在管式擴散爐中采用改進擴散工藝進行擴散；(2)對單晶硅片進行制絨擴散后，在二次清洗槽中用HF去除擴散后的PSG；(3)在擴散爐中首先采用干氧氧化的方法在硅片表面生長一層薄的二氧化硅薄膜；然后在濕氧氣氛下，進行濕氧氧化，同時適當通源沉積；最后再次干氧氧化；(4)鈍化后的單晶硅片，在濕法刻蝕槽中刻蝕去除背面PN結；(5)運用PECVD在單晶硅片正面沉積氮化硅，并進行電極印刷與燒結。該發明的有益效果是：具有良好的致密性，并表現出很好的鈍化作用，使單晶硅電池光電轉換效率明顯提升。鏈式制絨、刻蝕設備風干槽的作用是利用過濾加熱后空氣對硅片表面的水進行吹掃和風干，從而保證硅片流出機臺是干燥和潔凈的。如果吹至硅片表面上的風潔凈度不夠，吹出的風中有顆?；覊m，會粘附在硅片表面，制絨后硅片經過擴散后表面會出現黑色的斑點，刻蝕后硅片經過鍍膜后表面會出現白色的斑點。硅片表面有黑色和白色的斑點在經過后面的工序不會去除，從而制成成品電池后表面也會留有斑點，因而影響外觀，造成成品電池不良外觀比例上升。

在現有的技術中，制絨、刻蝕設備風干槽主要存在從風機中出來的風潔凈度不夠，吹出的風中有顆粒粉塵，粉塵會粘附硅片表面，無法保證制絨和刻蝕后硅片表面潔凈度。擴散后出現黑點的比例為0.5％-0.8％，鍍膜后出現白點的比例為0.6％-1.0％。擴散和鍍膜出現的黑點和白點造成成品電池不良，導致企業生產成本上升。

發明內容

基于以上問題，本發明提供一種電池片的外觀不良改善方法，可以顯著提升硅片表面的潔凈度，大幅提高硅片的良品率，有效降低企業生產成本。

為了實現發明目的，本發明采用如下技術方案：一種電池片的外觀不良改善方法，包括如下步驟：

甲、制絨工序：

A，選取多晶硅片；

B，硅片經過制絨槽、堿槽、酸槽腐蝕，以及水槽清洗；

C，硅片離開最后水槽后，由滾軸式傳送機構傳送，經過密封的風干槽，以加溫后的純氮氣進行吹掃和風干，并以滾軸式傳送機構送出風干槽；

D，硅片出制絨設備，完成制絨工藝流程；

乙、刻蝕工序：

E，選取擴散后硅片；

F，硅片經過刻蝕槽、堿槽、酸槽腐蝕，以及水槽清洗；

G，硅片離開最后水槽后由滾軸式傳送機構傳送，經過密封的風干槽，以加溫后的純氮氣進行吹掃和風干，并以滾軸式傳送機構送出風干槽；

H，硅片出刻蝕設備，完成刻蝕工藝流程。