[發明專利]一種硅酸鑭納米粉體的表征方法有效
| 申請號: | 201811345526.8 | 申請日: | 2018-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN109459453B | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 洪卉;李媛;張婷婷;陳健;于斐斐 | 申請(專利權)人: | 煙臺工程職業技術學院 |
| 主分類號: | G01N23/207 | 分類號: | G01N23/207;G01B15/00;G01B15/04;G01B15/08;G01N5/02;G01N15/08;G01N21/3563;G01N27/26 |
| 代理公司: | 北京高航知識產權代理有限公司 11530 | 代理人: | 汪浩 |
| 地址: | 264006 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅酸 納米 表征 方法 | ||
1.一種硅酸鑭納米粉體的表征方法,其特征在于:包括以下步驟;
S1、將La10-x/3Cex/3Si6O26+§粉體與成型劑混合之后,放入研磨罐(12)中進行研磨,之后放入粉末壓片機中,壓片成型之后放入馬弗爐進行高溫煅燒,獲得檢測試樣;
S2、取部分檢測試樣進行XRD測試,之后再將檢測試樣進行傅里葉紅外光譜分析,利用不同的結構對不同的紅外波長進行吸收,以致不同的結構都有一個特殊的吸收峰,定性定量地分析檢測試樣的結構;
S3、取部分檢測試樣,利用掃描電子顯微鏡觀察材料的尺寸大小、形狀和表面光滑程度;
S4、取部分檢測試樣放入電熱鼓風干燥機中,在100-120℃下干燥1-1.5h后,在空氣環境下的稱量質量為G1,之后將檢測試樣放入沸水中稱量懸浮質量為G2,取出檢測試樣之后,將檢測試樣的表面上的水分擦干之后在空氣環境下稱量質量為G3,通過以下公式可以計算出檢測試樣孔隙率Q為;
Q=(G3-G1)÷(G3-G2)
S5、取部分檢測試樣放入熱重分析儀中,以5℃/min的速度對檢測試樣進行升溫操作,并在同時記錄樣品的質量變化通過對樣品的溫度對質量的影響,并找出失重分析驟降點,記錄其驟降溫度為TG;
S6、取部分檢測試樣,通過電化學分析儀測得的交流阻抗數據,擬合得到樣品的電阻值,電阻值與電導率的關系通常由歐姆定律和電阻定律表達,公式如下:
其中:為樣品的電導率,ρ為樣品的電阻率,L為樣品的厚度,S為樣品的橫截面積,R為電極的電阻;
并且固體氧化物電解質的電導率與溫度的關系以下公式:
其中:為指前因子,Ea為電導率活化能,K為Boltzmann常數,T為絕對溫度;上式可轉化為:
S7、將S4中的孔隙率Q,S5中的驟降溫度TG,S6中的Ea電導率活化能,帶入以下公式中:
得到比例因子η,并將計算結果進行比對分析得到檢測試樣的電導率性能。
2.根據權利要求1所述的一種硅酸鑭納米粉體的表征方法,其特征在于:所述La10-x/3Cex/3Si6O26+§粉體中的X為1、2、3或4,所述S1中的粉末壓片機采用直徑10mm,壓力12MPa的操作條件,壓制成胚體厚度為1mm的壓片,之后在馬弗爐中進行陶瓷片的燒結,燒結溫度為1500℃,保溫2.5h。
3.根據權利要求1所述的一種硅酸鑭納米粉體的表征方法,其特征在于:所述XRD分析法中采用的是X射線源Cu靶和Kα線。
4.根據權利要求1所述的一種硅酸鑭納米粉體的表征方法,其特征在于:所述S6中在接入電化學分析儀中之前在檢測試樣兩側涂銀,之后將兩電極鉑絲與電解質的兩側相連,形成閉合回路,在400-800℃進行阻抗測試,其中每隔45-50℃會保溫10-12min,使得溫度穩定,之后通過電化學分析儀測得的交流阻抗數據。
5.根據權利要求1或2所述的一種硅酸鑭納米粉體的表征方法,其特征在于:所述電熱鼓風干燥箱的型號為XMTD-8222,所述粉末壓片機的型號為DF-4B,所述X-射線粉末衍射儀的型號為TD-3500。
6.根據權利要求2所述的一種硅酸鑭納米粉體的表征方法,其特征在于:所述S7中,若式中比例因子η≧4,則該La10-x/3Cex/3Si6O26+§粉體具有高電導率,若式中比例因子2.5≦η≦4,則該La10-x/3Cex/3Si6O26+§粉體具有較高的電導率,若式中比例因子η≦2.5,則該La10-x/3Cex/3Si6O26+§粉體電導率較低。
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