[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201811345083.2
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109801971B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 黃寅燦;申憲宗;鄭圣憲;李斗鉉;全輝璨;安學潤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

基板，包括第一有源圖案，所述第一有源圖案從所述基板的頂表面垂直地突出；

第一源極/漏極圖案，填充所述第一有源圖案的上部分中的第一凹陷，所述第一源極/漏極圖案包括第一表面、第二表面和所述第一表面與所述第二表面彼此相交的頂點；

第一金屬硅化物層，在所述第一源極/漏極圖案上，所述第一金屬硅化物層包括覆蓋所述第一源極/漏極圖案的所述頂點的第一部分、和覆蓋所述第一表面的至少一部分的第二部分；以及

第一接觸，與所述第一金屬硅化物層的所述第二部分接觸，

其中所述第一部分的厚度不同于所述第二部分的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二部分與所述第一接觸垂直地重疊，并且

所述第一部分與所述第一接觸間隔開。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一表面與所述第一源極/漏極圖案的中心之間的距離在遠離所述基板的方向上減小。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一金屬硅化物層的所述第一部分覆蓋所述第一源極/漏極圖案的所述第一表面的剩余部分和所述第二表面。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二部分包括第一硅化物圖案和在所述第一硅化物圖案上的第二硅化物圖案。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一部分中的金屬元素與所述第二部分中的金屬元素不同。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第二有源圖案，從所述基板的頂表面垂直地突出；

第二源極/漏極圖案，填充所述第二有源圖案的上部分中的第二凹陷；

第二接觸，電連接到所述第二源極/漏極圖案；以及

第二金屬硅化物層，在所述第二源極/漏極圖案和所述第二接觸之間，

其中所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案具有彼此不同的導電類型，并且

與所述第二接觸接觸的所述第二金屬硅化物層的厚度不同于所述第二部分的厚度。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一金屬硅化物層中的金屬元素不同于所述第二金屬硅化物層中的金屬元素。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括從所述基板的頂表面垂直地突出的第二有源圖案，

其中所述第一源極/漏極圖案從所述第一有源圖案延伸到所述第二有源圖案并填充形成在所述第二有源圖案的上部分中的第二凹陷，

所述第一金屬硅化物層的所述第一部分覆蓋所述第二有源圖案上的所述第一源極/漏極圖案，并且

當在平面圖中看時，所述第二有源圖案不與所述第一接觸重疊。

11.一種半導體器件，包括：

基板，包括第一有源圖案，所述第一有源圖案從所述基板的頂表面垂直地突出；

第一源極/漏極圖案，填充所述第一有源圖案的上部分中的第一凹陷，所述第一源極/漏極圖案包括第一表面、第二表面和所述第一表面與所述第二表面彼此相交的頂點；

第一金屬硅化物層，在所述第一源極/漏極圖案上，所述第一金屬硅化物層包括覆蓋所述第一源極/漏極圖案的所述頂點的第一部分、和覆蓋所述第一表面的至少一部分的第二部分；

第一接觸，通過所述第一金屬硅化物層的所述第二部分電連接到所述第一源極/漏極圖案；以及

蝕刻停止層，覆蓋所述第一金屬硅化物層的所述第一部分，

其中所述第一接觸覆蓋所述第一金屬硅化物層的所述第二部分，并且

所述第一部分的厚度不同于所述第二部分的厚度。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述第一部分和所述第二部分在所述第一源極/漏極圖案的第一表面上。