[發明專利]ITO薄膜以及透明導電性薄膜在審
| 申請號： | 201811344911.0 | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN110648783A | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發明（設計）人： | 河添昭造 | 申請（專利權）人： | 洛克技研工業株式會社 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 31291 上海立群專利代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 楊楷;毛立群 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶 透明導電性薄膜 退火處理 導電性 表面電阻 防潮性 阻氣性 電阻 基材 膜厚 撓性 | ||
1.一種ITO薄膜，在具有撓性的基材的表面，形成有未進行退火處理的狀態的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范圍內，所述非晶ITO膜的表面電阻在9～105(Ω/□)的范圍內。
2.如權利要求1所述的ITO薄膜，其特征在于，使用聚對苯二甲酸乙二醇酯作為所述基材。
3.如權利要求1或者2所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜密度為65％以上。
4.如權利要求1～3的任一項所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度為9nm以下。
5.如權利要求1～4的任一項所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范圍內。
6.一種透明導電性薄膜，在具有撓性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金屬層，進而在所述薄膜金屬層的表面形成有第二ITO膜，其特征在于，
所述第一ITO膜為未進行所述退火處理的狀態的非晶ITO膜；所述第二ITO膜為未進行所述退火處理的狀態的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范圍內，所述非晶ITO膜的表面電阻在9～105(Ω/□)的范圍內。
7.如權利要求6所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述薄膜金屬層是厚度為10nm～20nm的Ag層。
8.如權利要求6或者7所述的透明導電性薄膜，其特征在于，使用聚對苯二甲酸乙二醇酯作為所述基材。
9.如權利要求6～8的任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述第二ITO膜的膜密度為65％以上。
10.如權利要求6～9的任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述非晶第二ITO膜的表面平均粗糙度為9nm以下。
11.如權利要求6～10的任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述第二ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范圍內。
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