[發明專利]具有管道加熱功能的半導體制造裝置在審
| 申請號： | 201811344872.4 | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN111180353A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 管道 加熱 功能 半導體 制造 裝置 | ||
1.一種具有管道加熱功能的半導體制造裝置，包括進行半導體加工工藝的工藝腔室、使所述工藝腔室保持真空狀態的真空泵以及由不銹鋼管構成且用于連接所述工藝腔室和所述真空泵之間的前級管道，其特征在于，包括：
熱交換器，設置于所述工藝腔室及所述真空泵的外側，用于產生加熱所述前級管道所需的熱量；以及
熱交換管，與所述熱交換器相連接，以盤繞于所述前級管道的外周面全體的方式設置，利用所述熱交換管中流動的流體向所述前級管道均勻地供應所述熱量。
2.根據權利要求1所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，還包括：
保護套，以包覆所述熱交換管的方式設置于所述熱交換管的外部，所述保護套由隔熱材料構成，以防止所述熱量向所述保護套的外部泄漏。
3.根據權利要求2所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述熱交換管盤繞于所述前級管道而形成的截面呈圓形。
4.根據權利要求3所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述熱交換管由直管和螺旋管構成，所述螺旋管的兩端通過所述直管與所述熱交換器相連接，所述直管的外表面包覆有隔熱層，所述螺旋管盤繞于所述前級管道的外周面。
5.根據權利要求3所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述保護套具有筒形狀，其截面呈中空的環形。
6.根據權利要求5所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述保護套由聚四氟乙烯、聚異氰脲酸酯泡沫、陶紙中的一種以上的硬質材料構成，以支撐并保護所述熱交換管。
7.根據權利要求6所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述保護套由聚四氟乙烯、聚異氰脲酸酯泡沫、陶紙中的一種以上材料構成。
8.根據權利要求1所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述前級管道利用所述熱交換管傳導的熱量來保持預定溫度以上。
9.根據權利要求8所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述預定溫度為125℃。
10.根據權利要求1所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述熱交換管盤繞于所述前級管道的盤繞密度從所述熱交換管的中央部位越靠近兩端越大。
11.根據權利要求1所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述熱交換管由不銹鋼或者陶瓷材料構成。
12.根據權利要求1所述的具有管道加熱功能的半導體制造裝置，其特征在于，所述流體是FC3283氟化液。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
