[發明專利]切割晶圓的方法有效
| 申請號： | 201811344565.6 | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN111180322B | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發明（設計）人： | 陳靖為;韋承宏;張碩哲;陳宏生;周信宏 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 吳志紅;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 切割 方法 | ||
1.一種切割晶圓的方法，其特征在于，包括：
提供晶圓，其中所述晶圓包括基底、形成于所述基底中及所述基底上的多個晶粒以及切割道結構，所述切割道結構設置于相鄰晶粒之間的切割區內，所述切割道結構包括形成于所述基底上的至少一絕緣層以及形成于所述至少一絕緣層中的測試元件；
移除所述至少一絕緣層的位于所述測試元件周圍的部分；
將所述晶圓的前側附著于第一膠帶，其中所述第一膠帶接觸所述多個晶粒與所述至少一絕緣層的剩余部分；
自所述晶圓的背側移除所述基底的交疊于所述切割區的部分；
將所述晶圓的所述背側附著于第二膠帶；以及
移除所述第一膠帶以及附著于所述第一膠帶上的所述至少一絕緣層的所述剩余部分以及所述測試元件，而使所述多個晶粒分離地附著于所述第二膠帶上。
2.根據權利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于，移除所述至少一絕緣層的位于所述測試元件周圍的所述部分的方法包括微影制程與蝕刻制程。
4.根據權利要求3所述的切割晶圓的方法，其特征在于，在移除所述研磨膠帶之前還包括：將所述晶圓的所述背側附著于膠帶上。
5.根據權利要求4所述的切割晶圓的方法，其特征在于，在將所述晶圓的所述前側附著于所述第一膠帶之后還包括：移除所述膠帶。
6.根據權利要求4所述的切割晶圓的方法，其特征在于，所述膠帶與所述第一膠帶連接至同一框架。
7.根據權利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于，自所述晶圓的所述背側移除所述基底的交疊于所述切割區的所述部分的方法包括：
在所述晶圓的所述背側上形成光致抗蝕劑層；
圖案化所述光致抗蝕劑層，以在所述光致抗蝕劑層中形成開口，所述開口交疊于所述切割區；
以經圖案化的光致抗蝕劑層作為遮罩移除所述基底的被所述開口暴露出的所述部分；以及
移除所述經圖案化的光致抗蝕劑層。
8.根據權利要求7所述的切割晶圓的方法，其特征在于，移除所述基底的所述部分的方法包括等離子體切割。
9.根據權利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于，所述測試元件包括鋁。
10.根據權利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于，所述第一膠帶與所述第二膠帶連接至同一框架。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
