[發明專利]一種雙向耐壓VDMOS器件

有效

• 申請號: 201811343651.5
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109545839B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 劉斯揚;釗雪會;徐浩;童鑫;孫偉鋒;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種雙向耐壓VDMOS器件，其特征在于，包括：N型漏極(1)，其上設有第一N型外延層(2)，在第一N型外延層(2)的上方兩側分別設有柱狀第一P型體區(11)，在兩柱狀第一P型體區(11)的內側設有第二P型體區(5)，在第一P型體區(11)和第二P型體區(5)上設有第二N型外延層(10)，在第二N型外延層(10)上設有重摻雜N型源極(7)，在N型源極(7)表面連接有源極金屬層(8)，在第一N型外延層(2)、第二P型體區(5)、第二N型外延層(10)及N型源極(7)內設有柵極溝槽(3)，柵極溝槽(3)起始于N型源極(7)的表面，穿過第二N型外延層(10)和第二P型體區(5)并止于第一N型外延層(2)內，柵極溝槽(3)底部及側壁設有柵極氧化層(4)，在柵極溝槽(3)內設有柵極多晶硅(6)，在柵極溝槽(3)內的柵極多晶硅(6)頂部至N型源極(7)的上表面之間設有氧化層(9)，所述柵極溝槽(3)的下表面介于第二P型體區(5)下表面與柱狀第一P型體區(11)的下表面之間。

2.根據權利要求1所述的一種雙向耐壓VDMOS器件，其特征在于，所述柵極多晶硅(6)的上表面高于所述第二P型體區(5)的上表面。