[發明專利]OLED顯示面板及其制作方法

有效

• 申請號: 201811343328.8
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109638174B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 丁武;李松杉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

基板，包括用于設置起到驅動OLED器件發光作用的驅動薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管對應的存儲電容的設置區域；

保溫層，包括設置在所述基板上的第一保溫子層和設置在所述第一保溫子層上的第二保溫子層，形成在所述設置區域上；

緩沖層，形成在所述基板上，并覆蓋所述保溫層；

所述驅動薄膜晶體管，形成在所述緩沖層對應于所述設置區域的位置上；以及

所述存儲電容，形成在所述緩沖層對應于所述設置區域的位置上；

所述驅動薄膜晶體管和存儲電容均包括形成在所述緩沖層上的多晶硅層，所述保溫層用于提高非晶硅在結晶成為多晶硅層時熱量的穩定性；

所述緩沖層包括覆蓋所述第二保溫子層上的第一緩沖子層，其中，所述第一緩沖子層的材質是SiN_x，所述第一保溫子層的材質是SiO_x，所述第二保溫子層的材質是SiO_xN_y；在所述第二保溫子層中，氧元素的含量大于氮元素的含量。

2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述保溫層的厚度介于50納米～100納米之間。

3.根據權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述OLED顯示面板包括起到開關作用的開關薄膜晶體管，所述基板對應于所述開關薄膜晶體管的區域上設置有所述保溫層。

4.一種OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

S1：提供一基板，所述基板包括用于設置起到驅動OLED器件發光作用的驅動薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管對應的存儲電容的設置區域；

S2：在所述基板的設置區域形成一保溫層，用于防止非晶硅在結晶時熱量快速流失；

S3：在所述基板上依次形成緩沖層和非晶硅層；

S4：對所述非晶硅層進行鐳射退火處理，以形成多晶硅層，并圖案化所述多晶硅層；

S5：在所述多晶硅層上依次形成絕緣層、柵極金屬層、層間介電層、源漏金屬層和鈍化層，以形成所述驅動薄膜晶體管和所述存儲電容；

S6：在所述鈍化層上依次形成平坦層、陽極、像素定義層和間隔部；

在所述S2的步驟包括：

S21：在所述基板上采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積一層SiO_x膜，并采用光刻工藝形成第一保溫子層；

S22：在所述第一保溫子層上采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積一層SiO_xN_y膜，并采用光刻工藝形成第二保溫子層，在所述第二保溫子層中，氧元素的含量大于氮元素的含量。

5.根據權利要求4所述的OLED顯示面板的制作方法，其特征在于，在步驟S21中，沉積所述SiO_x膜，溫度介于400℃～440℃之間，能量介于10kw～20kw之間，壓強介于40Pa～80Pa之間，反應氣體SiH₄和N₂O的氣體比為1:100到1:50之間，反應時間20s～40s之間；

沉積所述SiO_xN_y膜時，溫度介于400℃～440℃之間，能量介于10kw～20kw之間，壓強介于40Pa～80Pa之間，SiH₄：N₂O：NH₃的氣體比為1:100:80到1:100:120之間，反應時間20s～40s之間。