[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811343321.6
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN111180504A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 汪廣羊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

漂移區，設置在所述襯底中；

柵極結構，設置在所述襯底上，包括柵極介電層和柵極介電層上的柵極層；

漏極區，設置在所述柵極結構其中一側的襯底中，與所述漂移區相接觸；

源極區，設置在所述柵極結構另一側的襯底中；

場氧層，設置在所述漂移區表面；及

多晶硅場板，設置在所述場氧層上；

所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件還設有穿入所述場氧層內的場氧接觸孔，場氧接觸孔中填充有導電材料。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述場氧接觸孔包括至少兩組，每組包括至少一個場氧接觸孔，越靠近所述漏極區的組的場氧接觸孔穿入場氧層越淺。

3.根據權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述至少兩組場氧接觸孔包括至少一組貫穿所述多晶硅場板后繼續向下貫穿進入場氧層的第一場氧接觸孔，和至少一組在未覆蓋多晶硅場板的位置貫穿進入場氧層的第二場氧接觸孔。

4.根據權利要求3所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，任一第二場氧接觸孔的孔徑小于任一第一場氧接觸孔的孔徑，任一第二場氧接觸孔穿入場氧層的深度淺于任一第一場氧接觸孔的穿入場氧層的深度。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括介質層和金屬層，所述介質層設置在所述柵極層、多晶硅場板、漏極區及源極區上，所述金屬層設置在所述介質層上方，所述金屬層包括接地連線；所述至少兩組場氧接觸孔中，至少一組場氧接觸孔中的導電材料電性連接所述接地連線從而接地。

6.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述至少兩組場氧接觸孔中，至少一組場氧接觸孔中的導電材料不與所述金屬層電性連接從而浮空。

7.根據權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述浮空的場氧接觸孔為最靠近所述漏極區的一組場氧接觸孔。

8.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，穿入場氧層越淺的所述場氧接觸孔的孔徑越小、穿入場氧層越深的所述場氧接觸孔的孔徑越大。

9.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，包括：

獲取襯底，所述襯底中形成有漂移區，所述漂移區表面形成有場氧層；

在所述襯底上形成柵極介電層；

在所述柵極介電層和場氧層上形成多晶硅層；

對所述多晶硅層進行光刻及刻蝕，形成柵極介電層上的柵極層和場氧層上的多晶硅場板；

在所述柵極層和多晶硅場板上形成介質層；

使用接觸孔光刻版光刻并刻蝕形成貫穿所述介質層進入所述場氧層內的場氧接觸孔，所述接觸孔光刻版包括與所述場氧接觸孔對應的場氧接觸孔圖形。

10.根據權利要求9所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于，所述接觸孔光刻版包括至少兩組場氧接觸孔圖形，以形成至少兩組場氧接觸孔，不同組的場氧接觸孔圖形的大小不等，從而使得越靠近所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件的漏極區的組的場氧接觸孔孔徑越小、穿入場氧層越淺。