[發(fā)明專利]超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊

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• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN109245573A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設計）人: 張曉鳴
• 申請（專利權）人: 浙江奧科半導體有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02P7/03
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，至少設有二半波交流電源輸出接腳、一工作電壓輸出接腳、一直流電壓輸出端、多數(shù)個直流觸發(fā)訊號輸入接腳及多數(shù)個被控交流電源輸出接腳，該集成模塊內(nèi)包括有：

一芯片，該芯片包括有：一內(nèi)部供電電路單元，其與半波交流電源輸入端相連接，其包括有一第一軟開關、一恒流源及一啟動電路，當芯片上電時，電流經(jīng)該第一軟開關及該恒流源，對芯片外部之儲能電容進行充電，當達到啟動電路上限參考電壓時，該第一軟開關即關閉對外部儲能電容的充電路徑，并提供芯片內(nèi)部的工作電壓；一電容充電電路單元，其與交流電源輸入端相連接，其包括有一交流檢測鉗位電路及一第二軟開關，當該交流檢測鉗位電路檢測到低壓工作區(qū)電位時，即開啟該第二軟性開關，繼續(xù)對外部的儲能電容以低頻非連續(xù)性脈沖繼續(xù)充電；

多數(shù)個雙向可控硅，每一雙向可控硅皆具有一主極、一被控主極及一閘極，該等雙向可控硅的主極皆與集成模塊其中的一半波交流電源輸入接腳相接，該等雙向可控硅的被控主極分別開發(fā)與外部負載端相連接，該等雙向可控硅的閘極則分別開放與控制信號輸出端相連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，其特征在于：該半波交流電源輸入端所輸入的半波交流電流為利用一二極體，將全波的交流電流轉(zhuǎn)成半波的交流電流。

3.根據(jù)權利要求1所述的超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，其特征在于：該電容充電電路單元更包括有一第三軟開關，該第三軟開關的一端與該第一儲能電容相連接，另一端連接有一第二儲能電容，該第一儲能電容的能量可經(jīng)由第三軟開關釋放給第二儲能電容，以確保負載端足夠能量供應。

4.根據(jù)權利要求1或3所述的超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，其特征在于：第一軟開關、第二軟開關及第三軟開關皆為金屬氧化物半導體場效電晶體。

5.根據(jù)權利要求1所述的超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，其特征在于：該芯片還包括有一主動泄放電路單元，該泄放電路單元系與交流電源輸入端相連接，它利用主動泄放電路，提供電流源泄放通道，以確保輸入能量能在充電期間，對外部儲能電容進行充電。

6.根據(jù)權利要求1所述的超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，其特征在于：該電容充電電路單元在第二軟開關處設有一過熱保護電路及一欠壓過壓保護電路。

7.根據(jù)權利要求1所述的超高壓無電感穩(wěn)壓芯片結合可控硅的集成模塊，其特征在于：該電容充電電路單元在第三軟開關處則設有一欠壓過壓保護電路及一過電流限制電路。