[發(fā)明專利]一種三維鏤空結構霧化噴膠方法

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• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN111176074A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設計）人: 車一卓;王永勝;唐瓊
• 申請（專利權）人: 北京自動化控制設備研究所
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 核工業(yè)專利中心 11007
• 代理人: 孫成林

1.一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：將承載三維鏤空結構的基片進行清洗，并烘干；

步驟2：將基片置于傾斜承片工裝上，進行第一層噴膠；

步驟3：對基片進行前烘，使光刻膠涂層固化；

步驟4：將基片換另一端置于傾斜承片工裝上，進行第二層噴膠；

步驟5：對基片進行前烘，使光刻膠涂層固化；

步驟6：更換水平承片工裝，調整工藝參數(shù)后，基片進行第三層噴膠；通過增加單位時間內(nèi)的出膠量，同時減小氮氣吹拂壓力，使霧化后的光刻膠液滴在落到基片表面時，溶劑并未完全揮發(fā)，溶劑會使之前固化的光刻膠涂層表面發(fā)生輕微溶解向邊緣溢流，通過控制光刻膠稀釋配比和溢流時間，可實現(xiàn)表面與側面的光刻膠層的均勻涂覆；

步驟7：對基片進行前烘，使光刻膠涂層固化；

步驟8：將基片另一面朝上，置于水平承片工裝上，進行第四層噴膠，最終形成各面均勻覆蓋光刻膠層的三維鏤空結構。

2.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟2、步驟4、步驟6、步驟8中，噴膠形式包括但不僅限于微電子工藝中的超聲霧化噴膠、兆聲霧化噴膠。

3.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟2、步驟4、步驟6、步驟8中，光刻膠包括但不僅限于正性光刻膠、負性光刻膠、聚酰亞胺等。

4.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟2、步驟4、步驟6、步驟8中，光刻膠稀釋所采用的溶劑包括但不僅限于丙酮、丁酮、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)。

5.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟1：在進行標準清洗過程，采用濃硫酸和重鉻酸鉀質量比6:1配置的玻璃洗液中常溫浸泡20秒后，再用去離子水沖洗干凈，然后放入110攝氏度的烘箱中20分鐘。

6.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟2：傾斜承片工裝的傾斜角度適于光刻膠粘附于側壁，采用45度傾斜角的承片工裝；進行標準噴膠工藝，光刻膠選用與基片表面黏度大的，如AZP4620正性光刻膠，稀釋劑選擇常溫下易揮發(fā)的有機試劑，如電子級丙酮，兩者體積比選定為1：10；承片工裝轉速80轉每分鐘，出膠速率設定為480微升每分鐘，噴嘴吹出氮氣壓力為500毫巴，噴嘴掠片速度為60～460厘米每秒，循環(huán)掃描4次，噴膠設備可參考型號EVG101型噴膠機。

7.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟3：選擇烘箱進行前烘，溫度為110攝氏度，時間5分鐘。

8.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟4：傾斜承片工裝和噴膠工藝參數(shù)均與步驟2相同，將基片換另一端置于傾斜承片工裝上，進行第二層噴膠。

9.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟5：選擇烘箱進行前烘，溫度為110攝氏度，時間5分鐘；此時測量表面膠厚約13微米，側面膠厚約8微米，均勻性較差。

10.如權利要求1所述的一種三維鏤空結構的霧化噴膠方法，其特征在于：所述的步驟6：更換為水平承片工裝；調整工藝參數(shù)，典型的工藝參數(shù)為：出膠速率增至600微升每分鐘，噴嘴吹出氮氣壓力為200毫巴，光刻膠與稀釋劑的體積比為1：15，承片工裝轉速100轉每分鐘，噴嘴掠片速度為120～660厘米每秒，循環(huán)掃描2次，溢流時間控制在45～50秒。