[發明專利]攝像裝置在審
| 申請號: | 201811340819.7 | 申請日: | 2014-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN109346493A | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 有賀悠葵 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 第二信號 攝像裝置 信號生成部 入射光 透射 合成 | ||
攝像裝置具有:多個第一像素,其包含多個顏色成分的像素,根據入射光來生成第一信號;多個第二像素,其根據從所述第一像素的至少一部分透射的光來生成第二信號;以及信號生成部,其生成將所述第一信號與所述第二信號合成得到的信號。
本申請是申請日為2014年7月4日、PCT國際申請號為PCT/JP2014/067886、國家階段申請號為201480049327.6、發明名稱為“攝像裝置”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種攝像裝置。
背景技術
以往,已知有一種配置了彩色濾光片的攝像元件(參照專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2007-282109號公報
發明內容
在以往的技術中,向各像素入射的光是透射了彩色濾光片的光。因此,例如就接收G(綠色)的光的G像素而言,除了G以外的光被彩色濾光片吸收,并不使用。另外,在G像素中,G的光本身也并非全部都被使用,該G的光的一部分被彩色濾光片吸收或者反射。像這樣,在以往的技術中入射光的利用效率很低。
根據本發明的第一方式,攝像裝置具有:多個第一像素,其包含多個顏色成分的像素,根據入射光來生成第一信號;多個第二像素,其根據從所述第一像素的至少一部分透射的光來生成第二信號;以及信號生成部,其生成將所述第一信號與所述第二信號合成得到的信號。
根據本發明的第二方式,在第一方式的攝像裝置中,優選地,所述第一像素對入射光中的規定的顏色成分的光進行光電轉換來生成所述第一信號,并使剩余的顏色成分的光透射,所述信號生成部通過將所述第一信號與所述第二信號相加來生成亮度信號。
根據本發明的第三方式,在第二方式的攝像裝置中,優選地,所述第一像素包含對第一顏色成分的光進行光電轉換的像素、對第二顏色成分的光進行光電轉換的像素和對第三顏色成分的光進行光電轉換的像素,所述信號生成部使用所述第一信號來生成色差信號。
根據本發明的第四方式,在第三方式的攝像裝置中,優選地,所述信號生成部在各像素位置,使用所述第一信號進行顏色插補處理來求出所述第一顏色成分至所述第三顏色成分的信號,基于所述第一顏色成分~所述第三顏色成分的信號之比和所述亮度信號來求出所述第一顏色成分至所述第三顏色成分的圖像信號,并基于所述圖像信號或者基于所述圖像信號和所述亮度信號來生成所述色差信號。
根據本發明的第五方式,在第三或第四方式的攝像裝置中,優選地,所述第一顏色成分是紅色,所述第二顏色成分是綠色,所述第三顏色成分是藍色,所述第一像素是通過拜耳陣列來排列的。
根據本發明的第六方式,攝像裝置具有:攝像元件,其具有第一光電轉換層和第二光電轉換層,所述第一光電轉換層二維地排列有對入射光中的規定的顏色成分的光進行光電轉換并使剩余的顏色成分的光透射的像素,所述第二光電轉換層與所述第一光電轉換層層疊地配置在同一光路上,并二維地排列有對從所述第一光電轉換層透射的光進行光電轉換的像素;以及圖像生成部,其使用來自所述第一光電轉換層的輸出信號和來自所述第二光電轉換層的輸出信號,來生成彩色圖像信號,所述圖像生成部通過將來自所述第一光電轉換層的輸出信號與來自所述第二光電轉換層的輸出信號相加,來生成所述彩色圖像信號中的亮度信號。
根據本發明的第七方式,在第六方式的攝像裝置中,優選地,所述第一光電轉換層具有對第一顏色成分的光進行光電轉換的第一像素、對第二顏色成分的光進行光電轉換的第二像素和對第三顏色成分的光進行光電轉換的第三像素,所述圖像生成部使用來自所述第一光電轉換層的輸出信號來生成所述彩色圖像信號中的色差信號。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





