[發(fā)明專利]顯示裝置、透明OLED陣列基板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811340719.4 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN109449188A | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋振;王國英 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源層 金屬遮光層 層間介電層 驅動晶體管 緩沖層 電容 基板 電極層 透明 顯示均勻性 分離設置 顯示效果 顯示裝置 相對設置 像素電容 電極 電容區(qū) 減小 霧度 制作 | ||
本發(fā)明涉及顯示技術領域,提出一種透明OLED陣列基板,該透明OLED陣列基板包括驅動晶體管、金屬遮光層、緩沖層、有源層、層間介電層和電極層。金屬遮光層包括位于驅動晶體管底部第一金屬遮光層和位于電容區(qū)作為電容其中一個電極的第二金屬遮光層;緩沖層設于金屬遮光層之上;有源層設于緩沖層之上,且包括驅動晶體管的第一有源層和與第二金屬遮光層相對設置的第二有源層,第一有源層和第二有源層分離設置,第二有源層與第二金屬遮光層形成第一電容;層間介電層設于有源層之上;電極層設于層間介電層之上與第二有源層相對的區(qū)域,并與第二有源層形成第二電容。增大像素電容,提升顯示均勻性,減小了金屬遮光層面積,降低了霧度,提升了顯示效果。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種透明OLED陣列基板、該透明OLED陣列基板的制作方法以及安裝該透明OLED陣列基板的顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發(fā)展,人們對顯示技術的要求也越來越高。
現(xiàn)有技術中,在提高面板透明度、提升顯示效果時,會出現(xiàn)增加面板的透明度和增加像素電容值以降低顯示亮度不均勻相互矛盾的問題;還會出現(xiàn)透明顯示面板內(nèi)存在的大的反光遮光金屬會增加霧度,會降低顯示效果的不足。
因此,有必要研究一種新的透明OLED陣列基板、一種透明OLED陣列基板、該透明OLED陣列基板的制作方法以及安裝該透明OLED陣列基板的顯示裝置。
所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本發(fā)明的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術中的增加電容和增加透明區(qū)域面積相互矛盾的不足,提供一種能夠增加電容且增加透明區(qū)域面積的透明OLED陣列基板、一種透明OLED陣列基板、該透明OLED陣列基板的制作方法以及安裝該透明OLED陣列基板的顯示裝置。
本發(fā)明的額外方面和優(yōu)點將部分地在下面的描述中闡述,并且部分地將從描述中變得顯然,或者可以通過本發(fā)明的實踐而習得。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,一種透明OLED陣列基板,包括:
驅動晶體管;
金屬遮光層,包括位于所述驅動晶體管底部用于遮擋照射驅動晶體管光線的第一金屬遮光層和位于電容區(qū)作為電容的其中一個電極的第二金屬遮光層,所述第一金屬遮光層和第二金屬遮光層分離設置;
緩沖層,設于所述金屬遮光層之上;
有源層,設于所述緩沖層之上,且包括驅動晶體管區(qū)的第一有源層和與所述第二金屬遮光層相對設置的第二有源層,所述第一有源層和第二有源層分離設置,所述第二有源層與所述第二金屬遮光層形成第一電容;
層間介電層,設于所述有源層之上;
電極層,設于所述層間介電層之上與所述第二有源層相對的區(qū)域,并與所述第二有源層形成第二電容。
在本公開的一種示例性實施例中,所述緩沖層上設置有連通至所述第二金屬遮光層的第一通孔,所述層間介電層上設置有與所述第一通孔連通的第二通孔,所述電極層貫穿所述第一通孔以及所述第二通孔與所述第二金屬遮光層連接。
在本公開的一種示例性實施例中,所述層間介電層上設置有連通至所述第二有源層的第三通孔,所述驅動晶體管的源極通過所述第三通孔與所述第二有源層連接。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一有源層包括:
正對驅動晶體管柵極的半導體部;
第一導體部,自所述半導體部延伸至靠近所述電容區(qū)的一側;
第二導體部,自所述半導體部延伸至遠離所述電容區(qū)的一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





