[發明專利]一種基于自恢復效應的NAND Flash存儲可靠性優化方法在審
| 申請號： | 201811340564.4 | 申請日： | 2018-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN109582224A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 魏德寶;喬立巖;郝夢琪;馮驊;彭喜元 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | G06F3/06 | 分類號： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 150000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 數據塊 自恢復 可靠性優化 駐留 存儲數據塊 變化規律 寫入數據 磨損 相等 寫入 存儲 研究 | ||
1.一種基于自恢復效應的NAND Flash存儲可靠性優化方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：準備進行數據寫入操作；
步驟二：遍歷信息存儲表，找到P/E次數最少的數據塊；
步驟三：判斷所找到的P/E次數最少的數據塊是否唯一；
步驟四：若唯一，則直接將數據寫入所述P/E次數最少的數據塊；若不唯一，則在具有相同P/E次數的數據塊內遍歷查找，找出停留時間最長的數據塊，最后將數據寫入停留時間最長的數據塊；
步驟五：更新信息存儲表中數據塊的P/E次數及上次寫入時間。
2.根據權利要求1所述的一種基于自恢復效應的NAND Flash存儲可靠性優化方法，其特征在于，步驟一具體包括：
將待寫入的數據按頁放入數據總線，并置數據有效，等待被寫入目標地址。
3.根據權利要求1所述的一種基于自恢復效應的NAND Flash存儲可靠性優化方法，其特征在于，所述信息存儲表中存儲有每個數據塊的P/E次數，及上次寫入時間。
4.根據權利要求1所述的一種基于自恢復效應的NAND Flash存儲可靠性優化方法，其特征在于，步驟二具體內容包括：
遍歷所述信息存儲表，將數據塊按照P/E次數的升序進行排列，數據塊的操作優先級隨著P/E次數的增加而降低。
5.根據權利要求4所述的一種基于自恢復效應的NAND Flash存儲可靠性優化方法，其特征在于，步驟四中的找出停留時間最長的數據塊的具體內容包括：
將相同P/E次數的數據塊按照每個數據塊內上次寫入數據的時間長度的升序進行排序，每個數據塊的操作優先級隨著時間的延長不斷升高。
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