[發明專利]一種微型芯片轉移吸嘴的制造工藝

有效

• 申請號: 201811340530.5
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109494181B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 陶金;梁靜秋;梁中翥;王惟彪;孟德佳;呂金光;秦余欣;李陽;王家先;趙永周
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B81C1/00
• 代理公司: 長春眾邦菁華知識產權代理有限公司 22214
• 代理人: 張偉

本發明公開了一種微型芯片轉移吸嘴的制造工藝，屬于微型陣列器件制作技術領域，用于解決尺寸在5?100μm范圍內的微型芯片轉移制備問題，本發明設置有基座，其一端具有基座導氣孔，用于與真空吸盤的導氣孔貫通，所述基座另一端具有與芯片接觸的密封層，所述基座位于所述基座導氣孔端的表面通過密封膠與所述真空吸盤固連；凸臺，其固連在所述基座遠離所述基座導氣孔的一側，所述密封層固連在所述凸臺上表面，所述凸臺具有貫穿于所述基座、并與所述基座導氣孔連通的凸臺導氣孔，本發明具有轉移效率高、結構簡單、易于制備的特點。

技術領域

本發明涉及微型陣列器件制作技術領域，尤其涉及一種微型芯片轉移吸嘴的制造工藝。

背景技術

目前，集成電路封裝中微型陣列器件(微型LED陣列、MEMS開光等)進一步小型化、集成化，芯片的轉移是集成電路封裝過程最重要的環節，傳統的陣列器件的芯片轉移主要采用Chip on Board(COB)工藝，COB技術采用高精度貼片機實現芯片到基板的轉移，受固晶機轉移吸嘴尺寸的限制，通常可轉移芯片的最小尺寸約100μm，這限制了微型陣列芯片的進一步微型化。

近年來，為了實現更小尺寸的芯片(5-100μm)的轉移，研究者們開發了基于PMDS的轉印技術和基于微型硅電極的靜電轉移技術,PDMS轉移技術通過制作的PDMS模具與芯片間的吸附力(范德華力)拾取芯片，微型硅電極轉移技術在硅電極和芯片之間施加一個電壓，通過靜電吸附力來拾取芯片。

所以，提供一種微型芯片轉移吸嘴及轉移吸嘴的制造工藝，通過半導體工藝實現該轉移吸嘴的加工制造，通過真空吸力實現微型芯片的拾取，特別適用于尺寸在5-100μm范圍內的微型芯片的轉移是必要的。

發明內容

本發明的目的是提供一種微型芯片轉移吸嘴，能夠轉移尺寸在5-100μm范圍內的微型芯片，轉移效率高、結構簡單、易于制備。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明公開的一種微型芯片轉移吸嘴，包括：

基座，其一端具有基座導氣孔，用于與真空吸盤的導氣孔貫通，所述基座另一端具有與芯片接觸的密封層，所述基座位于所述基座導氣孔端的表面通過密封膠與所述真空吸盤固連；

凸臺，其固連在所述基座遠離所述基座導氣孔的一側，所述密封層固連在所述凸臺上表面，所述凸臺具有貫穿于所述基座、并與所述基座導氣孔連通的凸臺導氣孔。

進一步的，所述凸臺的水平截面為圓形，其外徑小于所述基座外徑。

進一步的，所述凸臺導氣孔為圓形或多邊形。

進一步的，被轉移的5-100μm芯片外形尺寸完全覆蓋所述凸臺導氣孔的孔徑尺寸。

進一步的，所述基座導氣孔尺寸大于所述凸臺導氣徑尺寸。

進一步的，所述基座材料為硅晶圓或玻璃晶圓。

進一步的，所述密封層材料為PDMS或PI或PMMA或光刻膠。

進一步的，所述基座遠離所述基座導氣孔的一側布設有呈矩陣布置的多個所述凸臺，所述凸臺均設有貫穿于所述基座、并與所述基座導氣孔連通的所述凸臺導氣孔。

本發明公開的一種微型芯片轉移吸嘴的制造工藝，包括以下步驟：

步驟S301，提供所述基座；

步驟S302，在所述基座一側制造所述基座導氣孔；

步驟S303，在所述基座另一側制造所述凸臺；

步驟S304，在所述凸臺表面制造貫穿于所述基座、并與所述基座導氣孔連通的凸臺導氣孔；

步驟S305，在所述凸臺上表面粘接所述密封層；