[發(fā)明專利]LED顯示器及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811340457.1 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN109300932A | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 嚴光能 | 申請(專利權(quán))人: | 嚴光能 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 劉翔 |
| 地址: | 529600 廣東省陽江市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微孔 金屬層 驅(qū)動單元 驅(qū)動層 制作 顯示器技術(shù)領(lǐng)域 半導體工藝 顯示分辨率 電氣互連 依次疊加 有效隔離 電連接 導出 基底 嵌有 兼容 一體化 散發(fā) 通用 | ||
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種LED顯示器及其制作方法,所述LED顯示器包括在基底上依次疊加設(shè)置的金屬層和驅(qū)動層,所述金屬層中形成有多個微孔,每個微孔中均嵌有LED芯片,所述驅(qū)動層包括與所述多個微孔一一對應(yīng)的驅(qū)動單元,每個驅(qū)動單元均與對應(yīng)微孔內(nèi)的LED芯片電連接。所述LED顯示器有利于降低LED芯片與對應(yīng)的驅(qū)動單元之間實現(xiàn)電氣互連的難度,提高顯示分辨率,并且,一體化的金屬層可將LED芯片在工作時散發(fā)的熱量導出,金屬層可有效隔離位于相鄰微孔中的LED芯片發(fā)出的光線,均有利于提升LED顯示器的性能。所述LED顯示器的制作方法與通用半導體工藝兼容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種LED顯示器及其制作方法。
背景技術(shù)
LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)顯示技術(shù)是將傳統(tǒng)的LED 光源微小化和矩陣化并采用半導體驅(qū)動電路來實現(xiàn)對每一個像素點定址控 制和單獨驅(qū)動的顯示技術(shù)。LED顯示技術(shù)可用于大尺寸的電腦、電視、廣 告用顯示器,也可用于微型顯示器,由于LED顯示為自發(fā)光顯示,并且在 亮度、壽命、對比度、反應(yīng)時間、能耗、可視角度和分辨率的綜合性能較 佳,因而具有廣闊的應(yīng)用前景。
LED顯示器通常包括陣列分布的LED芯片(作為像素點)以及用于控 制LED芯片的驅(qū)動陣列以及外圍電路,其中LED芯片被貼附在形成有驅(qū) 動陣列的基板上再與對應(yīng)的驅(qū)動元件利用金屬線鍵合等方法進行電氣互 連,目前的LED顯示器技術(shù)在以下幾個方面仍需要改進:一、如何改進 LED芯片與對應(yīng)的驅(qū)動元件之間的電氣互連方式以提高分辨率;二、由于 溫度的升高可能導致LED芯片的光效下降,中心波長的漂移,甚至失效, 因而需提供有效的散熱方式;三、由于通常LED芯片發(fā)出的光線可通過其 各個表面出射,為了減小相鄰像素間的干擾,LED芯片間需有效隔離。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種LED顯示器及其制作方法,所述LED顯示 器可用于高分辨率顯示,其中作為像素點的LED芯片被相互隔離以減小干 擾,并且具有較好的散熱效果。
在本發(fā)明的一個方面,提供了一種LED顯示器,包括:
基底;設(shè)置于所述基底上的金屬層,所述金屬層中形成有多個微孔, 每個所述微孔中均嵌有LED芯片;以及設(shè)置于所述金屬層上的驅(qū)動層,所 述驅(qū)動層包括與所述多個微孔一一對應(yīng)的驅(qū)動單元,每個所述驅(qū)動單元均 與對應(yīng)微孔內(nèi)的LED芯片電連接。
可選的,所述基底上還設(shè)置有外圍電路,所述外圍電路與所述多個驅(qū) 動單元電連接;所述金屬層與所述外圍電路中的公共電極線連接。
可選的,所述LED芯片包括第一電極和第二電極,其中,所述第一電 極與對應(yīng)的所述驅(qū)動單元電連接,所述第二電極與所述金屬層電連接。
可選的,所述LED芯片為電極同面芯片,所述第一電極和所述第二電 極均位于所述LED芯片的遠離所述基底的上表面一側(cè),對應(yīng)的所述微孔貫 穿所述金屬層;或者,所述LED芯片為電極異面芯片,所述第一電極位于 所述LED芯片的遠離所述基底的上表面一側(cè),所述第二電極位于所述LED 芯片的靠近所述基底上表面的一側(cè),對應(yīng)的所述微孔的深度小于所述金屬 層的厚度。
可選的,在垂直于所述基底表面的方向上,所述金屬層的厚度為 10μm~1000μm。
可選的,所述金屬層的材料包括不銹鋼、銅、鎳、鉻、鋅、鋁中的至 少一種金屬,或者,所述金屬層包括鐵、銅、鎳、鉻、鋅、鋁中的至少一 種元素的合金。
可選的,所述LED顯示器還包括設(shè)置于所述基底的上表面與所述金屬 層之間的粘接層,以接合所述基底與所述金屬層。
可選的,所述粘接層的材料包括聚酰亞胺、聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯 中的至少一種,或者包括鐵、鎳、鉻、銅、錫、銀、鋅、銅、鋁中的至少 一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





