[發明專利]一種元胞結構及其制備方法、功率半導體器件及電子設備在審
| 申請號： | 201811340375.7 | 申請日： | 2018-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN111180405A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 曾丹;史波;肖婷;何昌 | 申請（專利權）人： | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/00;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/48;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 519070*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 結構 及其 制備 方法 功率 半導體器件 電子設備 | ||
1.一種元胞結構，其特征在于，包括：基材，設置在所述基材上的多個單排排列的溝槽，其中，
至少部分所述溝槽內設置有橫向加強側壁；且所述溝槽的側壁上設置有用于將被所述橫向加強側壁封堵的溝槽與其他溝槽導電連通的缺口。
2.如權利要求1所述的元胞結構，其特征在于，所述設置有橫向加強側壁的溝槽內設置有多個橫向加強側壁，且任意兩個橫向加強側壁之間的溝槽的槽壁中至少一個側壁上設置有所述缺口。
3.如權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，所述設置有橫向加強側壁的溝槽中，任意相鄰的兩個溝槽中，至少有一個橫向加強側壁與所述兩個溝槽的公用側壁形成十字形結構。
4.如權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，多個所述橫向加強側壁排列成多行；且每行包括多個間隔設置的橫向加強側壁；其中，
所述多行橫向加強側壁沿豎直方向上依次想錯。
5.如權利要求3所述的元胞結構，其特征在于，所述橫向加強側壁與所述溝槽的側壁為一體結構。
6.如權利要求2所述的元胞結構，其特征在于，所述橫向加強側壁的高度與所述溝槽的側壁的高度相同。
7.一種如權利要求1～6任一項所述的元胞結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基材中刻蝕溝槽，并在形成溝槽時，在至少部分所述溝槽內形成橫向加強側壁；并且在溝槽的側壁上形成用于將被所述橫向加強側壁封堵的溝槽與其他溝槽導電連通的缺口。
8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，還包括對形成的溝槽進行表面處理。
9.一種功率半導體器件，其特征在于，包括如權利要求1～6任一項所述的元胞結構。
10.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1～6任一項所述的元胞結構。
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