[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201811340112.6
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN111180450B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 陳亮;張思宇;楊樂;周朝鋒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有浮柵材料層、隔離絕緣層、控制柵材料層和掩膜層；

圖案化所述掩膜層和所述控制柵材料層，以形成若干相互間隔的控制柵；

對所述控制柵的側壁進行氧化，以在所述控制柵的側壁上形成保護層；

以所述控制柵為掩膜，蝕刻所述隔離絕緣層和所述浮柵材料層，以形成浮柵；

去除所述保護層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，通過SPA氧化工藝或者快速熱退火氧化工藝形成所述保護層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述控制柵材料層使用硅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述隔離絕緣層上并不形成所述保護層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成有條狀的浮柵材料層，圖案化所述掩膜層和所述控制柵材料層，以在所述條狀的浮柵材料層的延伸方向上形成若干相互間隔的控制柵。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底中還形成有位于所述浮柵材料層之間的隔離結構，以隔離相鄰的所述條狀的浮柵材料層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述半導體器件為NAND存儲單元。

8.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件通過權利要求1至7之一所述方法制備得到。

9.一種電子裝置，其特征在于，包括權利要求8所述的半導體器件。