[發明專利]一種諧振式壓力傳感器及制作工藝

在審

• 申請號: 201811339734.7
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN110031133A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 黃向向;楊敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;關健
• 申請（專利權）人: 罕王微電子（遼寧）有限公司
• 主分類號: G01L1/10
• 分類號: G01L1/10
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001
• 代理人: 張晨

1.一種諧振式壓力傳感器，其特征在于：所述的諧振式壓力傳感器,包括硅晶圓(1)，薄膜部分(2)，諧振部分(3)，諧振部分固定點(4)，背孔(5)，蓋帽(6)，吸氣劑層(7)，支撐硅層(8)，埋層氧化層(9)，頂層硅薄膜(10)，多晶硅薄膜和氧化層薄膜交替淀積膜(11)；

其中：SOI晶圓(12)是由頂層硅薄膜(10)、埋層氧化層(9)和支撐硅層(8)組成；以硅晶圓(1)或是SOI晶圓(12)作為襯底，在硅晶圓(1)襯底經過多次交替淀積氧化層或者多晶硅層，形成諧振式壓力傳感器的薄膜部分(2)，或者在SOI晶圓(12)襯底上由頂層硅薄膜(10)或是由SOI晶圓上的頂層硅薄膜(10)和多晶硅薄膜和氧化層薄膜交替淀積膜(11)，形成諧振式壓力傳感器的薄膜部分(2)；SOI晶圓(12)位于底部，上部為通過諧振部分固定點(4)連接的諧振部分(3)，諧振部分(3)的外部為殼體，殼體上部為蓋帽(6)。

2.一種如權利要求1所述的諧振式壓力傳感器的制作工藝，其特征在于：所述的諧振部分(3)是通過淀積外延/多晶硅層實現的，襯底通過刻蝕工藝形成流體進入到薄膜的通道-諧振式壓力傳感器的背孔(5)。

3.按照權利要求2所述的諧振式壓力傳感器的制作工藝，其特征在于：在另一襯底上完成蓋帽的工藝的制程，形成傳感器蓋帽(6)，在蓋帽內通過物理氣相沉積和剝離工藝沉積形成由一種或幾種金屬的合金或其金屬氧化物組成的吸氣劑，最后通過鍵合工藝實現蓋帽與傳感器部分結合在一起。

4.按照權利要求2所述的諧振式壓力傳感器的制作工藝，其特征在于：諧振式壓力傳感器背孔(5)是由濕法腐蝕工藝或是深反應離子刻蝕工藝實現；蓋帽部分(6)由濕法/等離子刻蝕工藝在另一片晶圓上實現，并通過晶圓鍵合工藝來將蓋帽和傳感器其它殼體部分結合在一起。

5.按照權利要求2所述的諧振式壓力傳感器的制作工藝，其特征在于：吸氣劑(7)是通過物理氣相沉積和剝離工藝沉積到蓋帽內部的，是由一種或幾種金屬的合金或其金屬氧化物組成，主要作用是保持蓋帽中真空環境。