[發明專利]一種高熱導、電絕緣液相燒結碳化硅陶瓷及其SPS工藝制備方法有效
| 申請號： | 201811339714.X | 申請日： | 2018-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN109336609B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 姚秀敏;葛盛;劉學建;黃政仁;張輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所;中國科學院上海硅酸鹽研究所蘇州研究院 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高熱 絕緣 燒結 碳化硅 陶瓷 及其 sps 工藝 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種輝光放電等離子液相燒結碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：
將SiC粉體、稀土氧化物和溶劑混合，制備得到漿料，所述稀土氧化物為CeO2和Y2O3，所述Y2O3和CeO2摩爾比為1：1；所述稀土氧化物的添加量占SiC粉體和稀土氧化物總質量的3wt%；
將所得漿料經干燥、過篩得到粉體干壓成型后裝入石墨模具，得到坯體；
將所得坯體在加壓、惰性氣氛條件下進行輝光放電等離子燒結，得到所述輝光放電等離子液相燒結碳化硅陶瓷，其中所述輝光放電等離子燒結的溫度為1950℃，保溫時間為10分鐘；
所述溶劑為水，漿料的固含量為45wt%；
所述惰性氣氛為氬氣，所述加壓的壓力為30MPa。
2.一種根據權利要求1所述的制備方法制備的輝光放電等離子液相燒結碳化硅陶瓷。
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